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Toshiba Semiconductor and Storage描述:
DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(
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属性
技术文件
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Input Type | Standard |
| Reverse Recovery Time (trr) | 600 ns |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Switching Energy | -, 290µJ (off) |
| Test Condition | 280V, 40A, 10Ohm, 20V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Power - Max | 230 W |
数据表
GT40QR21(STA1,E,D 数据表 (PDF)
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GT40QR21(STA1,E,D - 来自制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation, 它是一款 DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , IGBT, 晶体管 - IGBT - 单路。 。GT40QR21(STA1,E,D 库存状态: 现货; 立即订货! 今日发货。
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