RF FET,MOSFET

结果:
4,647
Manufacturer
Series
Supplier Device Package
Package / Case
Frequency
Power - Output
Gain
Current Rating (Amps)
Current - Test
Voltage - Rated
Voltage - Test
Noise Figure
Transistor Type
Technology
Configuration
Voltage - Supply
Operating Temperature
Power - Max
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Drain to Source Voltage (Vdss)
Test Frequency
Mounting Type
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
Frequency - Transition
Current - Collector (Ic) (Max)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
Vgs(th) (Max) @ Id
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Gate Type
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
Channel Type
Driven Configuration
Grade
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Qualification
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Rise / Fall Time (Typ)
FET Type
Power Dissipation (Max)
Vgs (Max)
RF Type
Input Type
Applications
Number of Drivers
Current - Collector Cutoff (Max)
Interface
Serial Interfaces
Program Memory Type
Resistance - RDS(On)
Voltage - Supply, Analog
Load Type
Number of Channels
High Side Voltage - Max (Bootstrap)
Number of Bits
Logic Voltage - VIL, VIH
Topology
Voltage - Load
Current - Supply
Current - Peak Output (Source, Sink)
Control Features
Power (Watts)
Output Phases
Controller Series
Current - Output / Channel
Core Processor
Output Type
Current Drain (Id) - Max
Output Configuration
Current - Peak Output
Function
Frequency - Switching
P1dB
Features
Voltage - Supply (Vcc/Vdd)
Synchronous Rectifier
FET Feature
Voltage - Supply, Digital
RAM Size
Number of I/O
Rds On (Typ)
Clock Sync
Number of Outputs
Duty Cycle (Max)
Fault Protection
结果4,647
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesGainPower - OutputCurrent Rating (Amps)Package / CaseSupplier Device PackageVoltage - RatedFrequencyNoise FigureTransistor TypeVoltage - TestCurrent - Test
BF2040E6814
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201,000 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
23dB
-
40mA
TO-253-4, TO-253AA
PG-SOT-143-3D
8 V
800MHz
1.6dB
N-Channel
5 V
15 mA
MMBF5484
RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
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55,800 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
-
5mA
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
25 V
400MHz
4dB
N-Channel JFET
15 V
-
PTFB181702FC-V1-R0
IC AMP RF LDMOS H-37248-4
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数量
9,000 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
19dB
30W
-
H-37248-4
H-37248-4
65 V
1.88GHz
-
LDMOS
28 V
1.3 A
BF998E6327
BF998 - RF SMALL SIGNAL TRANSIST
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
28dB
-
15mA
TO-253-4, TO-253AA
SOT143 (SC-61)
12 V
1GHz
2.8dB
N-Channel
8 V
10 mA
MRF8P9300HSR6
FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS
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1,038 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
19.4dB
100W
-
NI-1230S
NI-1230S
70 V
960MHz
-
LDMOS (Dual)
28 V
2.4 A
MRF6S20010GNR1
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
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973 可用
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
15.5dB
10W
-
TO-270BA
TO-270-2 GULL
68 V
2.17GHz
-
28 V
130 mA
MRFE6VP100HR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI780-4
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894 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
26dB
100W
-
NI-780-4
NI-780-4
133 V
512MHz
-
50 V
100 mA
BLF278
RF TRANS 2-ELEMENT VERY HIGH FR
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875 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
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-
-
-
-
CLF1G0035-50
CLF1G0035-50 - 50W BROADBAND RF
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746 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
11.5dB
50W
-
SOT467C
SOT467C
150 V
3GHz
-
GaN HEMT
50 V
150 mA
PD57030-E
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
14dB
30W
4A
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
10-PowerSO
65 V
945MHz
-
28 V
50 mA
BLF3G21-30
RF TRANS 1-ELEMENT ULTRA HIGH F
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
*
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-
-
-
MRFE6VP5300NR1
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
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500 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
27dB
300W
-
TO-270AB
TO-270 WB-4
133 V
1.8MHz ~ 600MHz
-
50 V
100 mA
A2I25H060NR1
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
26.1dB
10.5W
-
TO-270-17 Variant, Flat Leads
TO-270WB-17
65 V
2.59GHz
-
28 V
26 mA
PTMA210152MV1
NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
28.5dB
15W
10µA
20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
PG-DSO-20-63
65 V
1.8GHz ~ 2.2GHz
-
LDMOS
28 V
160 mA
MRF1511NT1
RF VERY HIGH FREQUENCY BAND, N-C
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
13dB
8W
4A
PLD-1.5
PLD-1.5
40 V
175MHz
-
LDMOS
7.5 V
150 mA
MRF151G
FET RF 2CH 125V 175MHZ 375-04
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238 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
16dB
300W
40A
375-04
375-04, Style 2
125 V
175MHz
-
50 V
500 mA
MRF24300NR3
RF POWER LDMOS TRANSISTOR
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201 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
13.1dB
330W
-
OM-780-2
OM-780-2
65 V
2.45GHz
-
LDMOS
32 V
100 mA
BLF1046
BLF1046 - UHF POWER LDMOS TRANSI
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
*
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CGH55030F2
RF MOSFET HEMT 28V 440166
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180 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
11dB
30W
-
440166
440166
84 V
4.5GHz ~ 6GHz
-
HEMT
28 V
250 mA
PTVA104501EH-V1-R0
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
17.5dB
450W
-
H-33288-2
H-33288-2
105 V
960MHz ~ 1.215GHz
-
50 V
200 mA

关于  RF FET,MOSFET

射频晶体管、场效应晶体管(FET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种具有三个端子的半导体器件,其内部电流流动由电场调节。这些器件专门用于在射频范围内工作的设备中,是射频应用中不可或缺的组件。在这个器件系列中,有各种类型的晶体管,用于信号和功率的放大或开关,包括增强型高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道晶体管。 这些半导体器件在电子系统中实现了对射频信号的操控和控制,发挥着至关重要的作用。通过利用射频晶体管、FET和MOSFET的独特特性,工程师和设计师可以实现对射频信号的高效放大和开关,满足无线通信、雷达系统、射频识别和其他射频中心应用的严格要求。 该器件系列提供了广泛的晶体管类型,以满足射频应用中特定的性能、功率和频率要求,反映了个性化解决方案的需求。无论是高频、高功率放大、低噪声信号处理还是高效功率开关,这些专业化的晶体管类型为工程师提供了灵活性和多功能性,以优化射频系统的性能。 总而言之,射频晶体管、FET和MOSFET是为射频应用而设计的重要半导体器件,具有各种晶体管类型,用于信号放大和功率开关。它们的应用可以精确管理和控制电子系统中的射频信号,满足无线通信、雷达和射频识别应用的多样化需求。