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供应商:
Goford Semiconductor描述:
N60V, 5A,RD<35M@10V,VTH1V~2.5V,
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属性
技术文件
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| Manufacturer | Goford Semiconductor |
| Series | TrenchFET® |
| Package / Case | 8-SOP |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1374pF @ 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5A, 4.5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| FET Feature | Standard |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Supplier Device Package | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Power - Max | 3.1W (Tc) |
数据表
G05N06S2 数据表 (PDF)
产品概述
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G05N06S2 - 来自制造商: Goford Semiconductor, 它是一款 N60V, 5A,RD<35M@10V,VTH1V~2.5V,, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , FET，MOSFET, FET，MOSFET 阵列. G05N06S2 库存状态: 需要与我们确认，联系我们!快速回复。
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