eGaN® Series, FET，MOSFET 阵列

场效应晶体管（FET）是利用电场调节电流流动的电子器件。通过对栅极施加电压，可以改变漏极和源极之间的电导率。与双极晶体管不同，FET是单极性晶体管，意味着它们依赖于一种类型的载流子来进行操作。这可以是电子或空穴，但不能同时存在。 FET的一个关键优势是其在低频下具有很高的输入阻抗。这个特性源于FET的栅极端子不会吸引任何电流，因为它被设计成以电压驱动模式工作。因此，与类似配置的双极晶体管相比，FET的输入阻抗可以高出几个数量级。 场效应晶体管有多种类型，最常见的是结型场效应晶体管（JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。JFET利用反向偏置的pn结来控制电流流动，而MOSFET使用氧化层来隔离栅极和通道区域。 FET在电子领域有许多应用，包括放大器、开关、振荡器和电压稳压器。由于其具有高输入阻抗，FET经常用于低功耗电路中，其中低负载效应和信号质量是关键考虑因素。 总而言之，场效应晶体管（FET）是利用电场控制电流流动的电子器件。它们是单极性晶体管，依靠一种类型的载流子进行操作。FET在低频下具有高输入阻抗，非常适合在低功耗应用中使用，其中信号质量是关键因素。