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onsemi描述:
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
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属性
技术文件
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| Manufacturer | onsemi |
| Series | PowerTrench® |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 700mW |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 2.5A, 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
数据表
FDC6561AN 数据表 (PDF)
产品概述
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FDC6561AN - 来自制造商: onsemi, 它是一款 MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , FET，MOSFET, FET，MOSFET 阵列。 。FDC6561AN 库存状态: 现货; 立即订货! 今日发货。
AlphaDFN™ 系列AlphaMOS 系列AlphaSGT™ 系列Automotive, AEC-Q101 系列Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 系列C 系列C, CoolSiC™ 系列CAB425M12XM3 系列CoolMOS™ 系列CoolSiC™ 系列CoolSiC™+ 系列DeepGATE™, STripFET™ H6 系列DeepGATE™, STripFET™ VI 系列DeepGATE™, STripFET™ VII 系列DirectFET™ 系列EasyDUAL™ 系列EasyPACK™ 系列EasyPACK™ CoolSiC™ 系列EasyPACK™, CoolSiC™ 系列ECOPACK® 系列eGaN® 系列EPAD® 系列EPAD®, Zero Threshold™ 系列FASTIRFET™ 系列FETKY™ 系列G 系列GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 系列GreenBridge™ PowerTrench® 系列HEXFET® 系列
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