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供应商:
Diodes Incorporated描述:
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
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属性
技术文件
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1418pF @ 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42.3nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250A |
| Supplier Device Package | U-DFN2030-6 (Type B) |
| Power - Max | 1W |
数据表
DMN2008LFU-7 数据表 (PDF)
产品概述
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DMN2008LFU-7 - 来自制造商: Diodes Incorporated, 它是一款 MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , FET，MOSFET, FET，MOSFET 阵列。 。DMN2008LFU-7 库存状态: 现货; 立即订货! 今日发货。
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