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供应商:
Diodes Incorporated描述:
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
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属性
技术文件
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Configuration | N and P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 840mW |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A, 2.8A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Supplier Device Package | TSOT-26 |
数据表
DMG6602SVT-7 数据表 (PDF)
产品概述
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DMG6602SVT-7 - 来自制造商: Diodes Incorporated, 它是一款 MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , FET，MOSFET, FET，MOSFET 阵列。 。DMG6602SVT-7 库存状态: 现货; 立即订货! 今日发货。
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