晶体管 - JFET

结果:
1,242
Manufacturer
Series
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Supplier Device Package
Resistance - RDS(On)
Package / Case
Power - Max
Current Drain (Id) - Max
Operating Temperature
Drain to Source Voltage (Vdss)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
Qualification
FET Type
Grade
Mounting Type
Configuration
Technology
Current Rating (Amps)
Voltage - Rated
Power - Output
Noise Figure
Current - Test
Voltage - Test
Frequency
Gain
结果1,242
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureSupplier Device PackageFET TypeDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsResistance - RDS(On)Power - MaxGradeVoltage - Breakdown (V(BR)GSS)Current Drain (Id) - MaxQualificationSeriesPackage / CaseVoltage - Cutoff (VGS off) @ Id
SMP5115
JFET P-Channel 30V Low Noise
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
SOT-23-3
P-Channel
30 V
25 mA @ 15 V
12pF @ 10V
80 Ohms
350 mW
-
-
-
-
SMP5115
SOT-23-3
3.5 V @ 1 nA
SMP5462
JFET P-Channel 40V Low Ciss
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
SOT-23-3
P-Channel
40 V
5.5 mA @ 15 V
4pF @ 15V
350 Ohms
350 mW
-
-
-
-
SMP5462
SOT-23-3
4 V @ 1 µA

晶体管 - JFET

结型栅场效应晶体管(JFET)是一种广泛应用的半导体器件,可作为电子控制开关、放大器或电压控制电阻器。这些器件基于通过改变施加在栅极端口上的电压来控制源极和漏极之间半导体通道中的电流流动原理而工作。 当在栅极和源极之间施加适当极性的电势差时,它改变了通道中电流流动的电阻。这种电阻调节导致源极和漏极之间流动的电流量减少。 JFET的一个显著特点是它们不需要偏置电流进行操作。相反,它们依靠源极和漏极之间半导体通道中的电荷流动来控制电流的流动。这简化了电路设计,并消除了额外的偏置元件的需求。 JFET在需要精确控制电流流动、放大或电压控制电阻的各种电子电路中应用广泛。它们独特的特性和简单性使其适用于电信、音频放大和仪器仪表等领域的各种应用。