LSK589 Series, 晶体管 - JFET

结果:
3
Manufacturer
Series
Supplier Device Package
Package / Case
Current Drain (Id) - Max
Mounting Type
Drain to Source Voltage (Vdss)
Operating Temperature
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
FET Type
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
Grade
Resistance - RDS(On)
Qualification
Power - Max
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
结果3
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LSK589
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperaturePackage / CaseSupplier Device PackagePower - MaxSeriesFET TypeVoltage - Breakdown (V(BR)GSS)Drain to Source Voltage (Vdss)Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)Current Drain (Id) - MaxVoltage - Cutoff (VGS off) @ IdInput Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsGradeResistance - RDS(On)Qualification
LSK589 SOIC 8L ROHS
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
500 mW
LSK589
2 N-Channel (Dual)
25 V
25 V
7 mA @ 10 V
50 mA
1.5 V @ 1 nA
5pF @ 10V
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LSK589 SOT-23 6L
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
SOT-23-6
SOT-23-6
500 mW
LSK589
2 N-Channel (Dual)
25 V
-
7 mA @ 10 V
-
1.5 V @ 1 nA
5pF @ 10V
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LSK589 TO-71 6L ROHS
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-71-6 Metal Can
TO-71
500 mW
LSK589
2 N-Channel (Dual)
25 V
25 V
7 mA @ 10 V
50 mA
1.5 V @ 1 nA
5pF @ 10V
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关于  晶体管 - JFET

结型栅场效应晶体管(JFET)是一种广泛应用的半导体器件,可作为电子控制开关、放大器或电压控制电阻器。这些器件基于通过改变施加在栅极端口上的电压来控制源极和漏极之间半导体通道中的电流流动原理而工作。 当在栅极和源极之间施加适当极性的电势差时,它改变了通道中电流流动的电阻。这种电阻调节导致源极和漏极之间流动的电流量减少。 JFET的一个显著特点是它们不需要偏置电流进行操作。相反,它们依靠源极和漏极之间半导体通道中的电荷流动来控制电流的流动。这简化了电路设计,并消除了额外的偏置元件的需求。 JFET在需要精确控制电流流动、放大或电压控制电阻的各种电子电路中应用广泛。它们独特的特性和简单性使其适用于电信、音频放大和仪器仪表等领域的各种应用。