CoolSiC™ Series, 晶体管 - JFET

结果:
2
Manufacturer
Series
Current Drain (Id) - Max
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Resistance - RDS(On)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power - Max
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
Operating Temperature
FET Type
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
Grade
Mounting Type
Supplier Device Package
Qualification
Package / Case
结果2
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CoolSiC™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeFET TypePackage / CaseSeriesVoltage - Breakdown (V(BR)GSS)Drain to Source Voltage (Vdss)Current Drain (Id) - MaxInput Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsResistance - RDS(On)Power - MaxOperating TemperatureSupplier Device PackageGradeVoltage - Cutoff (VGS off) @ IdQualificationCurrent - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
IJW120R100T1FKSA1
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
N-Channel
TO-247-3
CoolSiC™
1200 V
1200 V
26 A
1550pF @ 19.5V (VGS)
100 mOhms
190 W
-55°C ~ 175°C (TJ)
PG-TO247-3
-
-
-
1.5 µA @ 1200 V
IJW120R070T1FKSA1
IJW120R070 - POWER FIELD-EFFECT
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
N-Channel
TO-247-3
CoolSiC™
1.2 kV
1.2 kV
35 A
2000pF @ 19.5V (VGS)
70 mOhms
238 W
-55°C ~ 175°C (TJ)
PG-TO247-3
-
-
-
3.3 µA @ 1.2 kV

关于  晶体管 - JFET

结型栅场效应晶体管(JFET)是一种广泛应用的半导体器件,可作为电子控制开关、放大器或电压控制电阻器。这些器件基于通过改变施加在栅极端口上的电压来控制源极和漏极之间半导体通道中的电流流动原理而工作。 当在栅极和源极之间施加适当极性的电势差时,它改变了通道中电流流动的电阻。这种电阻调节导致源极和漏极之间流动的电流量减少。 JFET的一个显著特点是它们不需要偏置电流进行操作。相反,它们依靠源极和漏极之间半导体通道中的电荷流动来控制电流的流动。这简化了电路设计,并消除了额外的偏置元件的需求。 JFET在需要精确控制电流流动、放大或电压控制电阻的各种电子电路中应用广泛。它们独特的特性和简单性使其适用于电信、音频放大和仪器仪表等领域的各种应用。