EasyPACK™, CoolSiC™ 系列, 晶体管 - IGBT - 模块

结果:
2
Manufacturer
Series
Configuration
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Supplier Device Package
Vgs(th) (Max) @ Id
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Operating Temperature
FET Feature
Grade
Mounting Type
Drain to Source Voltage (Vdss)
Qualification
Package / Case
Technology
Power - Max
结果2
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EasyPACK™, CoolSiC™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypePackage / CasePower - MaxOperating TemperatureGradeFET FeatureDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdSupplier Device PackageQualificationSeriesConfigurationTechnologyInput Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsRds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
LOW POWER EASY AG-EASY3B-3111
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
Module
-
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
1200V (1.2kV)
400A (Tj)
5.15V @ 224mA
AG-EASY3B
-
EasyPACK™, CoolSiC™
4 N-Channel (Full Bridge)
Silicon Carbide (SiC)
48400pF @ 800V
2.27mOhm @ 400A, 18V
1600nC @ 18V
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
LOW POWER EASY AG-EASY1B-3111
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
Module
-
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
1200V (1.2kV)
15A (Tj)
5.15V @ 6mA
AG-EASY1B
-
EasyPACK™, CoolSiC™
6 N-Channel (Full Bridge)
Silicon Carbide (SiC)
1350pF @ 800V
79mOhm @ 15A, 18V
45nC @ 18V

关于  晶体管 - IGBT - 模块

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种先进的功率半导体器件,广泛用作电子开关。这些三端器件具有高效率和快速开关能力的组合特性,使其在各种应用中非常灵活。 IGBT可以按照不同的配置方式作为模块使用,以满足特定电路的要求。这些配置包括非对称桥、升压和降压开关、制动开关、全桥设置、三级逆变器和三相逆变器。这种灵活性使得在各种系统中实现高效的电力控制和转换成为可能。 一些IGBT模块配备了内置的NTC热敏电阻器,用于温度监测。这个功能可以通过实时监测器件的温度并防止过热来确保安全运行。 IGBT模块根据几个关键参数进行区分。这些参数包括最大功率处理能力、集电极电流额定值、集电极-发射极击穿电压以及模块的具体配置。通过根据这些规范选择合适的IGBT模块,设计师可以优化电路的性能和可靠性。 总之,绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种三端功率半导体器件,具有高效率和快速开关特性。它们可以按照不同的配置方式作为模块使用,以适应不同电路的要求。内置温度监测功能和基于关键参数的模块区分使得IGBT在需要高效和精确电力控制的应用中成为多功能的选择。