BIMOSFET™ 系列, 晶体管 - IGBT - 模块

结果:
3
Manufacturer
Series
Current - Collector (Ic) (Max)
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Power - Max
Current - Collector Cutoff (Max)
Operating Temperature
NTC Thermistor
Configuration
Mounting Type
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
Supplier Device Package
Input
Package / Case
IGBT Type
结果3
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BIMOSFET™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureConfigurationPackage / CaseSeriesIGBT TypeVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)InputNTC ThermistorCurrent - Collector (Ic) (Max)Supplier Device PackageVce(on) (Max) @ Vge, IcPower - MaxCurrent - Collector Cutoff (Max)Input Capacitance (Cies) @ Vce
IXBN42N170A
IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
Single
SOT-227-4, miniBLOC
BIMOSFET™
-
1700 V
Standard
No
42 A
SOT-227B
6V @ 15V, 21A
312 W
50 µA
3.5 nF @ 25 V
IXBN75N170A
IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
Single
SOT-227-4, miniBLOC
BIMOSFET™
-
1700 V
Standard
No
75 A
SOT-227B
6V @ 15V, 42A
625 W
50 µA
7.4 nF @ 25 V
IXBN75N170
IGBT MOD 1700V 145A 625W SOT227B
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数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
Single
SOT-227-4, miniBLOC
BIMOSFET™
-
1700 V
Standard
No
145 A
SOT-227B
3.1V @ 15V, 75A
625 W
25 µA
6.93 nF @ 25 V

关于  晶体管 - IGBT - 模块

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种先进的功率半导体器件,广泛用作电子开关。这些三端器件具有高效率和快速开关能力的组合特性,使其在各种应用中非常灵活。 IGBT可以按照不同的配置方式作为模块使用,以满足特定电路的要求。这些配置包括非对称桥、升压和降压开关、制动开关、全桥设置、三级逆变器和三相逆变器。这种灵活性使得在各种系统中实现高效的电力控制和转换成为可能。 一些IGBT模块配备了内置的NTC热敏电阻器,用于温度监测。这个功能可以通过实时监测器件的温度并防止过热来确保安全运行。 IGBT模块根据几个关键参数进行区分。这些参数包括最大功率处理能力、集电极电流额定值、集电极-发射极击穿电压以及模块的具体配置。通过根据这些规范选择合适的IGBT模块,设计师可以优化电路的性能和可靠性。 总之,绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种三端功率半导体器件,具有高效率和快速开关特性。它们可以按照不同的配置方式作为模块使用,以适应不同电路的要求。内置温度监测功能和基于关键参数的模块区分使得IGBT在需要高效和精确电力控制的应用中成为多功能的选择。