XPT™, GenX4™ 系列, 晶体管 - IGBT - 模块

结果:
3
Manufacturer
Series
Current - Collector (Ic) (Max)
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
Power - Max
Current - Collector Cutoff (Max)
Operating Temperature
NTC Thermistor
Configuration
Mounting Type
Supplier Device Package
Input
Package / Case
IGBT Type
结果3
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XPT™, GenX4™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeConfigurationPackage / CaseIGBT TypeInputNTC ThermistorOperating TemperatureVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Supplier Device PackageSeriesVce(on) (Max) @ Vge, IcPower - MaxCurrent - Collector (Ic) (Max)Current - Collector Cutoff (Max)Input Capacitance (Cies) @ Vce
IXXN110N65C4H1
IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
Single
SOT-227-4, miniBLOC
PT
Standard
No
-55°C ~ 175°C (TJ)
650 V
SOT-227B
XPT™, GenX4™
2.35V @ 15V, 110A
750 W
210 A
50 µA
3.69 nF @ 25 V
IXYN140N120A4
IGBT 140A 1200V SOT227B MINIBLOC
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
Single
SOT-227-4, miniBLOC
PT
Standard
No
-55°C ~ 175°C (TJ)
1200 V
SOT-227B
XPT™, GenX4™
1.7V @ 15V, 140A
1070 W
380 A
25 µA
8.3 nF @ 25 V
IXXN110N65B4H1
IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
Single
SOT-227-4, miniBLOC
PT
Standard
No
-55°C ~ 175°C (TJ)
650 V
SOT-227B
XPT™, GenX4™
2.1V @ 15V, 110A
750 W
215 A
50 µA
3.65 nF @ 25 V

关于  晶体管 - IGBT - 模块

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种先进的功率半导体器件,广泛用作电子开关。这些三端器件具有高效率和快速开关能力的组合特性,使其在各种应用中非常灵活。 IGBT可以按照不同的配置方式作为模块使用,以满足特定电路的要求。这些配置包括非对称桥、升压和降压开关、制动开关、全桥设置、三级逆变器和三相逆变器。这种灵活性使得在各种系统中实现高效的电力控制和转换成为可能。 一些IGBT模块配备了内置的NTC热敏电阻器,用于温度监测。这个功能可以通过实时监测器件的温度并防止过热来确保安全运行。 IGBT模块根据几个关键参数进行区分。这些参数包括最大功率处理能力、集电极电流额定值、集电极-发射极击穿电压以及模块的具体配置。通过根据这些规范选择合适的IGBT模块,设计师可以优化电路的性能和可靠性。 总之,绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种三端功率半导体器件,具有高效率和快速开关特性。它们可以按照不同的配置方式作为模块使用,以适应不同电路的要求。内置温度监测功能和基于关键参数的模块区分使得IGBT在需要高效和精确电力控制的应用中成为多功能的选择。