CoolSiC™ Series, 晶体管 - IGBT - 模块

结果:
1
Manufacturer
Series
Operating Temperature
FET Feature
Configuration
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Grade
Mounting Type
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Supplier Device Package
Drain to Source Voltage (Vdss)
Qualification
Package / Case
Technology
Power - Max
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
结果1
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CoolSiC™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeSupplier Device PackageOperating TemperaturePower - MaxPackage / CaseSeriesGradeFET FeatureDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CQualificationConfigurationTechnologyInput Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsRds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs(th) (Max) @ Id
FS13MR12W2M1HB70BPSA1
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
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CoolSiC™
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1200V (1.2kV)
62.5A (Tc)
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6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Silicon Carbide (SiC)
6050pF @ 800V
11.7mOhm @ 62.5A, 18V
200nC @ 18V
5.15V @ 28mA

关于  晶体管 - IGBT - 模块

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种先进的功率半导体器件,广泛用作电子开关。这些三端器件具有高效率和快速开关能力的组合特性,使其在各种应用中非常灵活。 IGBT可以按照不同的配置方式作为模块使用,以满足特定电路的要求。这些配置包括非对称桥、升压和降压开关、制动开关、全桥设置、三级逆变器和三相逆变器。这种灵活性使得在各种系统中实现高效的电力控制和转换成为可能。 一些IGBT模块配备了内置的NTC热敏电阻器,用于温度监测。这个功能可以通过实时监测器件的温度并防止过热来确保安全运行。 IGBT模块根据几个关键参数进行区分。这些参数包括最大功率处理能力、集电极电流额定值、集电极-发射极击穿电压以及模块的具体配置。通过根据这些规范选择合适的IGBT模块,设计师可以优化电路的性能和可靠性。 总之,绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种三端功率半导体器件,具有高效率和快速开关特性。它们可以按照不同的配置方式作为模块使用,以适应不同电路的要求。内置温度监测功能和基于关键参数的模块区分使得IGBT在需要高效和精确电力控制的应用中成为多功能的选择。