NC1M Series, 单 FET,MOSFET

结果:
6
Manufacturer
Series
Power Dissipation (Max)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Supplier Device Package
Package / Case
Operating Temperature
Mounting Type
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
FET Feature
FET Type
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Grade
Drain to Source Voltage (Vdss)
Qualification
Technology
结果6
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NC1M
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypeDrain to Source Voltage (Vdss)GradeFET FeatureGate Charge (Qg) (Max) @ VgsTechnologyCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Vgs (Max)Supplier Device PackageQualificationSeriesPackage / CaseInput Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsRds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdPower Dissipation (Max)
NC1M120C75RRNG
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
1200 V
-
-
-
SiCFET (Silicon Carbide)
46A (Tc)
18V
+18V, -5V
TO-263-7L
-
NC1M
TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)
1402 pF @ 1000 V
75mOhm @ 20A, 18V
2.3V @ 5mA
240W (Ta)
NC1M120C75GTNG
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
1200 V
-
-
-
SiCFET (Silicon Carbide)
47A (Tc)
20V
+20V, -5V
TO-247-3L
-
NC1M
TO-247-3
1450 pF @ 1000 V
75mOhm @ 20A, 20V
2.8V @ 5mA
288W (Ta)
NC1M120C75HTNG
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
1200 V
-
-
-
SiCFET (Silicon Carbide)
47A (Tc)
20V
+20V, -5V
TO-247-4L
-
NC1M
TO-247-4
1450 pF @ 1000 V
75mOhm @ 20A, 20V
2.8V @ 5mA
288W (Ta)
NC1M120C40GTNG
SiC MOSFET N 1200V 40mohm 76A 3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
1200 V
-
-
-
SiCFET (Silicon Carbide)
76A (Tc)
20V
+20V, -5V
TO-247-3L
-
NC1M
TO-247-3
2534 pF @ 1000 V
40mOhm @ 35A, 20V
2.8V @ 10mA
375W (Ta)
NC1M120C40HTNG
SiC MOSFET N 1200V 40mohm 75A 4
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
1200 V
-
-
-
SiCFET (Silicon Carbide)
75A (Tc)
20V
+20V, -5V
TO-247-4L
-
NC1M
TO-247-4
2534 pF @ 1000 V
40mOhm @ 35A, 20V
2.8V @ 10mA
366W (Ta)
NC1M120C12HTNG
SiC MOSFET N 1200V 12mohm 214A
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
1200 V
-
-
-
SiCFET (Silicon Carbide)
214A (Tc)
20V
+20V, -5V
TO-247-4L
-
NC1M
TO-247-4
8330 pF @ 1000 V
20mOhm @ 100A, 20V
3.5V @ 40mA
938W (Ta)

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。