π-MOSVI Series, 单 FET,MOSFET

结果:
16
Manufacturer
Series
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Supplier Device Package
Package / Case
Vgs(th) (Max) @ Id
Power Dissipation (Max)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Operating Temperature
FET Type
Drain to Source Voltage (Vdss)
Vgs (Max)
FET Feature
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Grade
Mounting Type
Qualification
Technology
结果16
搜索条目:
π-MOSVI
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypeDrain to Source Voltage (Vdss)Package / CaseSupplier Device PackageGradeTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CRds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Vgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)QualificationSeries
SSM3K16FU,LF
1+
¥3.6000
5+
¥3.4000
10+
¥3.2000
数量
62,965 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
20 V
SC-70, SOT-323
USM
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
100mA (Ta)
3Ohm @ 10mA, 4V
1.1V @ 100µA
-
1.5V, 4V
±10V
9.3 pF @ 3 V
150mW (Ta)
-
π-MOSVI
SSM3K09FU,LF
1+
¥1.8000
5+
¥1.7000
10+
¥1.6000
数量
30,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C
N-Channel
30 V
SC-70, SOT-323
USM
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
400mA (Ta)
700mOhm @ 200MA, 10V
1.8V @ 100µA
-
3.3V, 10V
±20V
20 pF @ 5 V
150mW (Ta)
-
π-MOSVI
SSM5N15FU,LF
1+
¥1.1340
5+
¥1.0710
10+
¥1.0080
数量
30,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
N-Channel
30 V
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
5-SSOP
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
100mA (Ta)
4Ohm @ 10mA, 4V
-
-
2.5V, 4V
±20V
7.8 pF @ 3 V
200mW (Ta)
-
π-MOSVI
SSM3J15FU,LF
1+
¥0.9000
5+
¥0.8500
10+
¥0.8000
数量
4,999 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
P-Channel
30 V
SC-70, SOT-323
USM
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
100mA (Ta)
12Ohm @ 10mA, 4V
1.7V @ 100µA
-
2.5V, 4V
±20V
9.1 pF @ 3 V
150mW (Ta)
-
π-MOSVI
SSM3J15FV,L3F
1+
¥0.7200
5+
¥0.6800
10+
¥0.6400
数量
2,470 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
P-Channel
30 V
SOT-723
VESM
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
100mA (Ta)
12Ohm @ 10mA, 4V
1.7V @ 100µA
-
2.5V, 4V
±20V
9.1 pF @ 3 V
150mW (Ta)
-
π-MOSVI
SSM5N16FUTE85LF
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
N-Channel
20 V
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
5-SSOP
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
100mA (Ta)
3Ohm @ 10mA, 4V
-
-
1.5V, 4V
±10V
9.3 pF @ 3 V
200mW (Ta)
-
π-MOSVI
SSM3J15CT(TPL3)
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
P-Channel
30 V
SC-101, SOT-883
CST3
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
100mA (Ta)
12Ohm @ 10mA, 4V
-
-
2.5V, 4V
±20V
9.1 pF @ 3 V
100mW (Ta)
-
π-MOSVI
SSM3J16CT(TPL3)
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
P-Channel
20 V
SC-101, SOT-883
CST3
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
100mA (Ta)
8Ohm @ 10mA, 4V
1.1V @ 100µA
-
1.5V, 4V
±10V
11 pF @ 3 V
100mW (Ta)
-
π-MOSVI
SSM3K01T(TE85L,F)
联系我们
数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
N-Channel
30 V
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TSM
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.2A (Ta)
120mOhm @ 1.6A, 4V
-
-
2.5V, 4V
±10V
152 pF @ 10 V
1.25W (Ta)
-
π-MOSVI
SSM3K16CT(TPL3)
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
N-Channel
20 V
SC-101, SOT-883
CST3
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
100mA (Ta)
3Ohm @ 10mA, 4V
1.1V @ 100µA
-
1.5V, 4V
±10V
9.3 pF @ 3 V
100mW (Ta)
-
π-MOSVI
SSM3K106TU(TE85L)
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
N-Channel
20 V
3-SMD, Flat Leads
UFM
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
1.2A (Ta)
310mOhm @ 600mA, 10V
2.3V @ 100µA
-
4V, 10V
±20V
36 pF @ 10 V
500mW (Ta)
-
π-MOSVI
SSM3K15CT(TPL3)
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
N-Channel
30 V
SC-101, SOT-883
CST3
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
100mA (Ta)
4Ohm @ 10mA, 4V
1.5V @ 100µA
-
2.5V, 4V
±20V
7.8 pF @ 3 V
100mW (Ta)
-
π-MOSVI
SSM3K15FS,LF
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
N-Channel
30 V
SC-75, SOT-416
SSM
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
100mA (Ta)
4Ohm @ 10mA, 4V
1.5V @ 100µA
-
2.5V, 4V
±20V
7.8 pF @ 3 V
200mW (Ta)
-
π-MOSVI
SSM3K35MFV(TPL3)
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
N-Channel
20 V
SOT-723
VESM
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
180mA (Ta)
3Ohm @ 50mA, 4V
1V @ 1mA
-
1.2V, 4V
±10V
9.5 pF @ 3 V
150mW (Ta)
-
π-MOSVI
SSM3J35CT,L3F
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C
P-Channel
20 V
SC-101, SOT-883
CST3
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
100mA (Ta)
8Ohm @ 50mA, 4V
1V @ 1mA
-
1.2V, 4V
±10V
12.2 pF @ 3 V
100mW (Ta)
-
π-MOSVI
SSM5N15FE(TE85L,F)
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
N-Channel
30 V
SOT-553
ESV
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
100mA (Ta)
4Ohm @ 10mA, 4V
1.5V @ 100µA
-
2.5V, 4V
±20V
7.8 pF @ 3 V
150mW (Ta)
-
π-MOSVI

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。