ICeGaN™ Series, 单 FET,MOSFET

结果:
4
Manufacturer
Series
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Supplier Device Package
Package / Case
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Operating Temperature
FET Feature
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
FET Type
Grade
Mounting Type
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power Dissipation (Max)
Qualification
Technology
Vgs (Max)
结果4
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ICeGaN™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsGradeSupplier Device PackageTechnologyCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CFET FeaturePower Dissipation (Max)QualificationSeriesRds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs(th) (Max) @ IdDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Vgs (Max)
CGD65B200S2-T13
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
8-PowerVDFN
650 V
-
-
8-DFN (5x6)
GaNFET (Gallium Nitride)
8.5A (Tc)
Current Sensing
-
-
ICeGaN™
280mOhm @ 600mA, 12V
1.4 nC @ 12 V
4.2V @ 2.75mA
9V, 20V
+20V, -1V
CGD65A130S2-T13
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
16-PowerVDFN
650 V
-
-
16-DFN (8x8)
GaNFET (Gallium Nitride)
12A (Tc)
Current Sensing
-
-
ICeGaN™
182mOhm @ 900mA, 12V
2.3 nC @ 12 V
4.2V @ 4.2mA
12V
+20V, -1V
CGD65B130S2-T13
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
8-PowerVDFN
650 V
-
-
8-DFN (5x6)
GaNFET (Gallium Nitride)
12A (Tc)
Current Sensing
-
-
ICeGaN™
182mOhm @ 900mA, 12V
2.3 nC @ 12 V
4.2V @ 4.2mA
9V, 20V
+20V, -1V
CGD65A055S2-T07
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
16-PowerVDFN
650 V
-
-
16-DFN (8x8)
GaNFET (Gallium Nitride)
27A (Tc)
Current Sensing
-
-
ICeGaN™
77mOhm @ 2.2A, 12V
6 nC @ 12 V
4.2V @ 10mA
12V
+20V, -1V

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。