E-Series Series, 单 FET,MOSFET

结果:
6
Manufacturer
Series
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Power Dissipation (Max)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Supplier Device Package
Package / Case
Vgs (Max)
Operating Temperature
Mounting Type
Drain to Source Voltage (Vdss)
FET Feature
FET Type
Grade
Qualification
Technology
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果6
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E-Series
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseSupplier Device PackageFET FeatureTechnologyDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)QualificationGradeSeries
E3M0065090D
SICFET N-CH 900V 35A TO247-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
-
SiCFET (Silicon Carbide)
900 V
35A (Tc)
15V
84.5mOhm @ 20A, 15V
3.5V @ 5mA
30.4 nC @ 15 V
+18V, -8V
660 pF @ 600 V
125W (Tc)
-
Automotive
E-Series
E3M0075120K
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-247-4
TO-247-4L
-
SiCFET (Silicon Carbide)
1200 V
32A (Tc)
15V
97.5mOhm @ 17.9A, 15V
3.6V @ 5mA
55 nC @ 15 V
+19V, -8V
1480 pF @ 1000 V
145W (Tc)
-
Automotive
E-Series
E3M0120090D
SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
-
SiCFET (Silicon Carbide)
900 V
23A (Tc)
15V
155mOhm @ 15A, 15V
3.5V @ 3mA
17.3 nC @ 15 V
+18V, -8V
350 pF @ 600 V
97W (Tc)
-
Automotive
E-Series
E3M0075120D
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
-
SiCFET (Silicon Carbide)
1200 V
32A (Tc)
15V
97.5mOhm @ 17.9A, 15V
3.6V @ 5mA
57 nC @ 15 V
+19V, -8V
1480 pF @ 1000 V
145W (Tc)
-
Automotive
E-Series
E3M0120090J
900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
TO-263-7
-
SiCFET (Silicon Carbide)
900 V
22A (Tc)
15V
155mOhm @ 15A, 15V
3.5V @ 3mA
18 nC @ 15 V
+15V, -4V
414 pF @ 600 V
83W (Tc)
-
Automotive
E-Series
E3M0280090D
SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
-
SiCFET (Silicon Carbide)
900 V
11.5A (Tc)
15V
360mOhm @ 7.5A, 15V
3.5V @ 1.2mA
9.5 nC @ 15 V
+18V, -8V
150 pF @ 600 V
54W (Tc)
-
Automotive
E-Series

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。