XP3N1R0 Series, 单 FET,MOSFET

结果:
1
Manufacturer
Series
Operating Temperature
FET Feature
FET Type
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Grade
Mounting Type
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Supplier Device Package
Vgs(th) (Max) @ Id
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power Dissipation (Max)
Qualification
Package / Case
Technology
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果1
搜索条目:
XP3N1R0
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypeDrain to Source Voltage (Vdss)GradeTechnologyFET FeatureVgs(th) (Max) @ IdPackage / CaseDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)QualificationSeriesCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CInput Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsSupplier Device PackagePower Dissipation (Max)
XP3N1R0MT
FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
2.2V @ 250µA
8-PowerLDFN
4.5V, 10V
1.05mOhm @ 20A, 10V
120 nC @ 4.5 V
±20V
-
XP3N1R0
54.2A (Ta), 245A (Tc)
12320 pF @ 15 V
PMPAK® 5 x 6
5W (Ta), 104W (Tc)

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。