G3R™, LoRing™ 系列, 单 FET，MOSFET

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9
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Power Dissipation (Max)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Vgs(th) (Max) @ Id
Vgs (Max)
Drain to Source Voltage (Vdss)
Technology
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Operating Temperature
FET Feature
FET Type
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Mounting Type
Supplier Device Package
Qualification
Package / Case
结果：9
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G3R™, LoRing™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypePackage / CaseFET TypeDrain to Source Voltage (Vdss)Operating TemperatureGradeSupplier Device PackageFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CTechnologyDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Vgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)QualificationSeriesRds On (Max) @ Id, Vgs
G3R160MT12J-TR
G3R160MT12J-TR
GeneSiC Semiconductor
1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
N-Channel
1200 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
TO-263-7
-
19A (Tc)
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
15V, 18V
2.7V @ 5mA
23 nC @ 15 V
+22V, -10V
724 pF @ 800 V
110W (Tc)
-
G3R™, LoRing™
180mOhm @ 10A, 18V
G3R75MT12J-TR
G3R75MT12J-TR
GeneSiC Semiconductor
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
N-Channel
1200 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
TO-263-7
-
38A (Tc)
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
15V, 18V
2.7V @ 10mA
47 nC @ 15 V
+22V, -10V
1545 pF @ 800 V
196W (Tc)
-
G3R™, LoRing™
85mOhm @ 20A, 18V
G3R160MT17J-TR
G3R160MT17J-TR
GeneSiC Semiconductor
1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
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TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
N-Channel
1700 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
TO-263-7
-
18A (Tc)
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
2.7V @ 5mA
29 nC @ 15 V
+15V, -5V
854 pF @ 1000 V
145W (Tc)
-
G3R™, LoRing™
208mOhm @ 12A, 15V
G3R30MT12J-TR
G3R30MT12J-TR
GeneSiC Semiconductor
1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
N-Channel
1200 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
TO-263-7
-
85A (Tc)
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
15V, 18V
2.7V @ 24mA
118 nC @ 15 V
+22V, -10V
3863 pF @ 800 V
408W (Tc)
-
G3R™, LoRing™
34mOhm @ 45A, 18V
G3R350MT12J-TR
G3R350MT12J-TR
GeneSiC Semiconductor
1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
N-Channel
1200 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
TO-263-7
-
10A (Tc)
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
15V, 18V
2.7V @ 2mA
10 nC @ 15 V
+22V, -10V
331 pF @ 800 V
64W (Tc)
-
G3R™, LoRing™
395mOhm @ 4A, 18V
G3R60MT07J-TR
G3R60MT07J-TR
GeneSiC Semiconductor
650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
N-Channel
750 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
TO-263-7
-
44A (Tc)
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
15V
-
-
-
-
182W (Tc)
-
G3R™, LoRing™
-
G3R40MT12J-TR
G3R40MT12J-TR
GeneSiC Semiconductor
1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
N-Channel
1200 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
TO-263-7
-
66A (Tc)
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
15V, 18V
2.7V @ 18mA
88 nC @ 15 V
+22V, -10V
2897 pF @ 800 V
330W (Tc)
-
G3R™, LoRing™
45mOhm @ 35A, 18V
G3R450MT17J-TR
G3R450MT17J-TR
GeneSiC Semiconductor
1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
N-Channel
1700 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
TO-263-7
-
8A (Tc)
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
2.7V @ 2mA
18 nC @ 15 V
+15V, -5V
454 pF @ 1000 V
71W (Tc)
-
G3R™, LoRing™
585mOhm @ 4A, 15V
G3R160MT17J
G3R160MT17J
GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7
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可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
N-Channel
1700 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
TO-263-7
-
18A (Tc)
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
2.7V @ 5mA
29 nC @ 15 V
±15V
854 pF @ 1000 V
187W (Tc)
-
G3R™, LoRing™
208mOhm @ 12A, 15V
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关于  单 FET，MOSFET

离散场效应晶体管（FET）是一种非常多功能的电子元件，用于各种应用，包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作，同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上，其他器件类型如绝缘栅双极晶体管（IGBT）会更具竞争力。对于低电压应用，FET通常优于IGBT，因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置，以适应特定的应用需求。例如，可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力，或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件，如二极管和电容器结合使用，构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外，FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件，因此不容易磨损。此外，它们可以在高温下工作而不降低性能，非常适合在恶劣环境中使用。 总之，离散场效应晶体管（FET）由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用，优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性，FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。
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