UniFET™ 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
158
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Power Dissipation (Max)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Drain to Source Voltage (Vdss)
Supplier Device Package
Package / Case
Vgs(th) (Max) @ Id
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Operating Temperature
Mounting Type
FET Feature
FET Type
Grade
Qualification
Technology
结果158
搜索条目:
UniFET™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseSupplier Device PackageTechnologyFET FeatureVgs(th) (Max) @ IdSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)
FDPF14N30T
MOSFET N-CH 300V 14A TO220F
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3 Full Pack
TO-220F-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
300 V
14A (Tc)
10V
290mOhm @ 7A, 10V
25 nC @ 10 V
±30V
1060 pF @ 25 V
35W (Tc)
FDPF5N50TYDTU
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
TO-220F (LG-Formed)
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
500 V
5A (Tc)
10V
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
15 nC @ 10 V
±30V
640 pF @ 25 V
28W (Tc)
FDAF69N25
MOSFET N-CH 250V 34A TO3PF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-3P-3 Full Pack
TO-3PF
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
250 V
34A (Tc)
10V
41mOhm @ 17A, 10V
100 nC @ 10 V
±30V
4640 pF @ 25 V
115W (Tc)
FDA15N65
MOSFET N-CH 650V 16A TO3PN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-3P-3, SC-65-3
TO-3PN
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
650 V
16A (Tc)
10V
440mOhm @ 8A, 10V
63 nC @ 10 V
±30V
3095 pF @ 25 V
260W (Tc)
FDAF62N28
MOSFET N-CH 280V 36A TO3PF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-3P-3 Full Pack
TO-3PF
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
280 V
36A (Tc)
10V
51mOhm @ 18A, 10V
100 nC @ 10 V
±30V
4630 pF @ 25 V
165W (Tc)
FDPF18N20FT-G
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3 Full Pack
TO-220F-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
200 V
18A (Tc)
10V
140mOhm @ 9A, 10V
26 nC @ 10 V
±30V
1180 pF @ 25 V
35W (Tc)
FDPF44N25TRDTU
MOSFET N-CH 250V 44A TO220F
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
TO-220F (LG-Formed)
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
250 V
44A (Tc)
10V
69mOhm @ 22A, 10V
61 nC @ 10 V
±30V
2870 pF @ 25 V
38W (Tc)
FDH45N50F-F133
MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
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14,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
500 V
45A (Tc)
10V
120mOhm @ 22.5A, 10V
137 nC @ 10 V
±30V
6630 pF @ 25 V
625W (Tc)
FDPF44N25TRDTU
MOSFET N-CH 250V 44A TO220F
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50,000 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
TO-220F (LG-Formed)
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
250 V
44A (Tc)
10V
69mOhm @ 22A, 10V
61 nC @ 10 V
±30V
2870 pF @ 25 V
38W (Tc)
FDPF8N50NZT
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3 Full Pack
TO-220F-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
500 V
8A (Tc)
10V
850mOhm @ 4A, 10V
18 nC @ 10 V
±25V
7360 pF @ 25 V
40.3W (Tc)
FDD10N20LZTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252AA
MOSFET (Metal Oxide)
-
2.5V @ 250µA
UniFET™
200 V
7.6A (Tc)
5V, 10V
360mOhm @ 3.8A, 10V
16 nC @ 10 V
±20V
585 pF @ 25 V
83W (Tc)
FDPF18N20FT-G
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3 Full Pack
TO-220F-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
200 V
18A (Tc)
10V
140mOhm @ 9A, 10V
26 nC @ 10 V
±30V
1180 pF @ 25 V
35W (Tc)
FDP18N20F
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
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1 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
200 V
18A (Tc)
10V
145mOhm @ 9A, 10V
26 nC @ 10 V
±30V
1180 pF @ 25 V
100W (Tc)
FDP5N50
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
500 V
5A (Tc)
10V
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
15 nC @ 10 V
±30V
640 pF @ 25 V
85W (Tc)
FDP20N50
MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
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1,078 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
500 V
20A (Tc)
10V
230mOhm @ 10A, 10V
59.5 nC @ 10 V
±30V
3120 pF @ 25 V
250W (Tc)
FDP24N40
MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
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800 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
400 V
24A (Tc)
10V
175mOhm @ 12A, 10V
60 nC @ 10 V
±30V
3020 pF @ 25 V
227W (Tc)
FDA16N50-F109
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-3P-3, SC-65-3
TO-3PN
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
500 V
16.5A (Tc)
10V
380mOhm @ 8.3A, 10V
45 nC @ 10 V
±30V
1945 pF @ 25 V
205W (Tc)
FDD6N50TM
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
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10,029 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252AA
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
500 V
6A (Tc)
10V
900mOhm @ 3A, 10V
16.6 nC @ 10 V
±30V
9400 pF @ 25 V
89W (Tc)
FDA28N50F
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
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5,650 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-3P-3, SC-65-3
TO-3PN
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
500 V
28A (Tc)
10V
175mOhm @ 14A, 10V
105 nC @ 10 V
±30V
5387 pF @ 25 V
310W (Tc)
FDD5N50TM-WS
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252AA
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
UniFET™
500 V
4A (Tc)
10V
1.4Ohm @ 2A, 10V
15 nC @ 10 V
±30V
640 pF @ 25 V
40W (Tc)

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。