UltraFASTmesh™ Series, 单 FET,MOSFET

结果:
5
Manufacturer
Series
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Supplier Device Package
Vgs(th) (Max) @ Id
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power Dissipation (Max)
Package / Case
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Operating Temperature
Mounting Type
Vgs (Max)
FET Feature
FET Type
Grade
Qualification
Technology
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果5
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UltraFASTmesh™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseSupplier Device PackageGradeTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
STD5N52U
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
1+
¥5.4000
5+
¥5.1000
10+
¥4.8000
数量
1,640 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DPAK
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
4.4A (Tc)
4.5V @ 50µA
UltraFASTmesh™
525 V
10V
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
16.9 nC @ 10 V
±30V
529 pF @ 25 V
70W (Tc)
-
STI5N52U
MOSFET N-CH 525V 4.4A I2PAK
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
I2PAK
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
4.4A (Tc)
4.5V @ 50µA
UltraFASTmesh™
525 V
10V
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
16.9 nC @ 10 V
±30V
529 pF @ 25 V
70W (Tc)
-
STF5N52U
MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3 Full Pack
TO-220FP
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
4.4A (Tc)
4.5V @ 50µA
UltraFASTmesh™
525 V
10V
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
16.9 nC @ 10 V
±30V
529 pF @ 25 V
25W (Tc)
-
STF16N50U
MOSFET N-CH 500V 15A TO220FP
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3 Full Pack
TO-220FP
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
15A (Tc)
4.5V @ 100µA
UltraFASTmesh™
500 V
10V
520mOhm @ 5A, 10V
40 nC @ 10 V
±30V
1950 pF @ 25 V
30W (Tc)
-
STF16N60M6
MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3 Full Pack
TO-220FP
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
12A (Tc)
4.75V @ 250µA
UltraFASTmesh™
600 V
10V
320mOhm @ 6A, 10V
16.7 nC @ 10 V
±25V
575 pF @ 100 V
25W (Tc)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。