U-MOSVIII 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
5
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Power Dissipation (Max)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Vgs(th) (Max) @ Id
Operating Temperature
Supplier Device Package
Drain to Source Voltage (Vdss)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
FET Feature
FET Type
Grade
Mounting Type
Qualification
Package / Case
Technology
Vgs (Max)
结果5
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U-MOSVIII
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeFET TypePackage / CaseOperating TemperatureDrain to Source Voltage (Vdss)GradeTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CSeriesDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Supplier Device PackageQualification
TPN2R503NC,L1Q
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-PowerVDFN
150°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
40A (Ta)
U-MOSVIII
4.5V, 10V
2.5mOhm @ 20A, 10V
2.3V @ 500µA
40 nC @ 10 V
±20V
2230 pF @ 15 V
700mW (Ta), 35W (Tc)
8-TSON Advance (3.1x3.1)
-
XPN3R804NC,L1XHQ
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-PowerVDFN
175°C
40 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
40A (Ta)
U-MOSVIII
4.5V, 10V
3.8mOhm @ 20A, 10V
2.5V @ 300µA
35 nC @ 10 V
±20V
2230 pF @ 10 V
840mW (Ta), 100W (Tc)
8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
-
TPN6R303NC,LQ
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-PowerVDFN
150°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
20A (Ta)
U-MOSVIII
4.5V, 10V
6.3mOhm @ 10A, 10V
2.3V @ 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
1370 pF @ 15 V
700mW (Ta), 19W (Tc)
8-TSON Advance (3.1x3.1)
-
TPN4R203NC,L1Q
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-PowerVDFN
150°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
23A (Ta)
U-MOSVIII
4.5V, 10V
4.2mOhm @ 11.5A, 10V
2.3V @ 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
1370 pF @ 15 V
700mW (Ta), 22W (Tc)
8-TSON Advance (3.1x3.1)
-
TPN2R203NC,L1Q
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15,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-PowerVDFN
150°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
45A (Tc)
U-MOSVIII
10V
2.2mOhm @ 22.5A, 10V
2.3V @ 500µA
34 nC @ 10 V
±20V
2230 pF @ 15 V
700mW (Ta), 42W (Tc)
8-TSON Advance (3.1x3.1)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。