U-MOSV 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
5
Manufacturer
Series
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Supplier Device Package
Package / Case
Power Dissipation (Max)
Operating Temperature
FET Feature
FET Type
Grade
Mounting Type
Vgs(th) (Max) @ Id
Drain to Source Voltage (Vdss)
Qualification
Technology
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果5
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U-MOSV
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypePackage / CaseFET TypeOperating TemperatureDrain to Source Voltage (Vdss)GradeSupplier Device PackageTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdSeriesDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
SSM3J307T(TE85L,F)
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
P-Channel
150°C (TJ)
20 V
-
TSM
MOSFET (Metal Oxide)
-
5A (Ta)
1V @ 1mA
U-MOSV
1.5V, 4.5V
31mOhm @ 4A, 4.5V
19 nC @ 4.5 V
±8V
1170 pF @ 10 V
700mW (Ta)
-
SSM6J409TU(TE85L,F
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
6-SMD, Flat Leads
P-Channel
150°C (TJ)
20 V
-
UF6
MOSFET (Metal Oxide)
-
9.5A (Ta)
1V @ 1mA
U-MOSV
1.5V, 4.5V
22.1mOhm @ 3A, 4.5V
15 nC @ 4.5 V
±8V
1100 pF @ 10 V
1W (Ta)
-
SSM3J321T(TE85L,F)
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
P-Channel
150°C (TJ)
20 V
-
TSM
MOSFET (Metal Oxide)
-
5.2A (Ta)
1V @ 1mA
U-MOSV
1.5V, 4.5V
46mOhm @ 3A, 4.5V
8.1 nC @ 4.5 V
±8V
640 pF @ 10 V
700mW (Ta)
-
SSM3J129TU(TE85L)
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
3-SMD, Flat Leads
P-Channel
150°C (TJ)
20 V
-
UFM
MOSFET (Metal Oxide)
-
4.6A (Ta)
1V @ 1mA
U-MOSV
1.5V, 4.5V
46mOhm @ 3A, 4.5V
8.1 nC @ 4.5 V
±8V
640 pF @ 10 V
500mW (Ta)
-
TPC6111(TE85L,F,M)
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
P-Channel
150°C (TJ)
20 V
-
VS-6 (2.9x2.8)
MOSFET (Metal Oxide)
-
5.5A (Ta)
1V @ 1mA
U-MOSV
1.5V, 4.5V
40mOhm @ 2.8A, 4.5V
10 nC @ 5 V
±8V
700 pF @ 10 V
700mW (Ta)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。