U-MOSIII-H Series, 单 FET,MOSFET

结果:
5
Manufacturer
Series
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Vgs(th) (Max) @ Id
Drain to Source Voltage (Vdss)
Supplier Device Package
Power Dissipation (Max)
Package / Case
FET Type
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Operating Temperature
FET Feature
Grade
Mounting Type
Qualification
Technology
结果5
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U-MOSIII-H
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypePackage / CaseFET TypeOperating TemperatureDrain to Source Voltage (Vdss)GradeSupplier Device PackageTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdSeriesDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
TPC6109-H(TE85L,FM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
P-Channel
150°C (TJ)
30 V
-
VS-6 (2.9x2.8)
MOSFET (Metal Oxide)
-
5A (Ta)
1.2V @ 200µA
U-MOSIII-H
4.5V, 10V
59mOhm @ 2.5A, 10V
12.3 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 10 V
700mW (Ta)
-
TPC6006-H(TE85L,F)
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
N-Channel
150°C (TJ)
40 V
-
VS-6 (2.9x2.8)
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.9A (Ta)
2.3V @ 1mA
U-MOSIII-H
4.5V, 10V
75mOhm @ 1.9A, 10V
4.4 nC @ 10 V
±20V
251 pF @ 10 V
700mW (Ta)
-
TPCA8011-H(TE12LQM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
N-Channel
150°C (TJ)
20 V
-
8-SOP Advance (5x5)
MOSFET (Metal Oxide)
-
40A (Ta)
1.3V @ 200µA
U-MOSIII-H
2.5V, 4.5V
3.5mOhm @ 20A, 4.5V
32 nC @ 5 V
±12V
2900 pF @ 10 V
1.6W (Ta), 45W (Tc)
-
TPCP8003-H(TE85L,F
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
N-Channel
150°C (TJ)
100 V
-
PS-8 (2.9x2.4)
MOSFET (Metal Oxide)
-
2.2A (Ta)
2.3V @ 1mA
U-MOSIII-H
4.5V, 10V
180mOhm @ 1.1A, 10V
7.5 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 10 V
840mW (Ta)
-
TPCP8103-H(TE85LFM
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
P-Channel
150°C (TJ)
40 V
-
PS-8 (2.9x2.4)
MOSFET (Metal Oxide)
-
4.8A (Ta)
2V @ 1mA
U-MOSIII-H
4.5V, 10V
40mOhm @ 2.4A, 10V
19 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 10 V
840mW (Ta)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。