深圳智勤芯科技有限公司是一家具有二十多年专业化的电子元器件供应商，是国内市场较具规模的电子元器件供应商之一。公司以“信誉第一、价格合理、诚信经营”为宗旨，在同行业中树立了良好的口碑。受到了众多客户的好评与信赖，在广大客户的提携、支持下，在激烈的市场竞争中，公司不断创新，逐步发展，在电子商务这一新兴领域中已有了长足的发展，并形成了一套有自己特色的管理、运作系统。我们的核心优势之一是我们严格的质量保证体系和专业的质量控制团队。我们共同努力，确保我们的产品和服务符合最高质量标准。为了进一步验证我们对质量的承诺，我们已获得ESD, AS9120B, ISO9001, ISO14001等认证。

深圳智勤芯科技有限公司秉承＂以人为本＂的人才观，大力吸纳专业人才以充实技术，管理和营销队伍，不断完善自身管理，提供优质服务，打造优秀品牌，追求卓越目标。我们拥有专业的销售人员以及出色的工程技术专家，一贯以快速回应客户的咨询及提供优质的交货服务为基础，为客户提供与应用需求最紧密结合的解决方案，从而降低客户的开发与应用成本，使智勤芯科技与客户在互利中共同成长。

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我们多样化的服务使我们能够为各种行业提供电子元件，包括汽车，消费品，合同制造商，电子制造服务(EMS)，能源系统和控制，工业自动化，测量技术，医疗设备，电信和焊接。

SuperGaN® 系列, 单 FET，MOSFET

结果:

选择	图片	产品详情	单价	可用性	ECAD 模型	Mounting Type	Operating Temperature	FET Type	Drain to Source Voltage (Vdss)	Grade	FET Feature	Series	Technology	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	Power Dissipation (Max)	Supplier Device Package	Qualification	Package / Case

TP65H070G4LSG-TR

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GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

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85mOhm @ 16A, 10V

4.8V @ 700µA

8.4 nC @ 10 V

±20V

600 pF @ 400 V

96W (Tc)

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3-PowerTDFN

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GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6

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312mOhm @ 6.5A, 6V

2.8V @ 500µA

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±10V

400 pF @ 400 V

41.6W (Tc)

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8-PowerTDFN

TP65H480G4JSGB-TR

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GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6

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3.6A (Tc)

560mOhm @ 3A, 6V

2.8V @ 500µA

5 nC @ 10 V

±10V

414 pF @ 400 V

13.2W (Tc)

8-PQFN (5x6)

8-PowerTDFN

TP65H300G4LSGB-TR

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GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8

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6.5A (Tc)

312mOhm @ 6.5A, 6V

2.8V @ 500µA

8.8 nC @ 10 V

±12V

730 pF @ 400 V

21W (Tc)

8-PQFN (8x8)

8-VDFN Exposed Pad

TP65H050G4YS

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650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE

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60mOhm @ 22A, 10V

4.8V @ 700µA

24 nC @ 10 V

±20V

1000 pF @ 400 V

132W (Tc)

TO-247-4L

TO-247-4

TP65H035G4QS

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650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG

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46.5A (Tc)

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41mOhm @ 30A, 10V

4.8V @ 1mA

22 nC @ 10 V

±20V

1500 pF @ 400 V

156W (Tc)

TOLL

8-PowerSFN

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650 V 34 A GAN FET

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10V

60mOhm @ 22A, 10V

4.8V @ 700µA

24 nC @ 10 V

±20V

1000 pF @ 400 V

119W (Tc)

TO-263

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TP65H150G4PS

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GAN FET N-CH 650V TO-220

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180mOhm @ 8.5A, 10V

4.8V @ 500µA

8 nC @ 10 V

±20V

598 pF @ 400 V

83W (Tc)

TO-220AB

TO-220-3

TP65H050G4WS

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650 V 34 A GAN FET

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4.8V @ 700µA

24 nC @ 10 V

±20V

1000 pF @ 400 V

119W (Tc)

TO-247-3

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GANFET N-CH 650V 29A TO220

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29A (Tc)

10V

85mOhm @ 18A, 10V

4.7V @ 700µA

9 nC @ 10 V

±20V

638 pF @ 400 V

96W (Tc)

TO-220AB

TO-220-3

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29A (Tc)

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85mOhm @ 16A, 10V

4.6V @ 700µA

8.4 nC @ 10 V

±20V

600 pF @ 400 V

96W (Tc)

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GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

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16A (Tc)

180mOhm @ 10A, 6V

2.8V @ 500µA

4.9 nC @ 10 V

±10V

400 pF @ 400 V

83W (Tc)

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MOSFET 650V, 480mOhm

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3.6A (Tc)

560mOhm @ 3.4A, 8V

2.8V @ 500µA

9 nC @ 8 V

±18V

760 pF @ 400 V

13.2W (Tc)

3-PQFN (5x6)

3-PowerTDFN

关于单 FET，MOSFET

离散场效应晶体管（FET）是一种非常多功能的电子元件，用于各种应用，包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作，同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上，其他器件类型如绝缘栅双极晶体管（IGBT）会更具竞争力。对于低电压应用，FET通常优于IGBT，因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置，以适应特定的应用需求。例如，可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力，或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件，如二极管和电容器结合使用，构成更复杂的电路。除了多功能性和高效率外，FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件，因此不容易磨损。此外，它们可以在高温下工作而不降低性能，非常适合在恶劣环境中使用。总之，离散场效应晶体管（FET）由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用，优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性，FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。

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