SuperFET® V Series, 单 FET,MOSFET

结果:
4
Manufacturer
Series
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Power Dissipation (Max)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Supplier Device Package
Package / Case
Vgs (Max)
Operating Temperature
FET Feature
FET Type
Grade
Mounting Type
Drain to Source Voltage (Vdss)
Qualification
Technology
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果4
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SuperFET® V
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseSupplier Device PackageGradeTechnologyFET FeatureSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
NTHL120N60S5Z
MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
SuperFET® V
600 V
28A (Tj)
10V
120mOhm @ 11.5A, 10V
4V @ 2.2mA
40 nC @ 10 V
±20V
2088 pF @ 400 V
160W (Tc)
-
NTP185N60S5H
MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220-3
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
SuperFET® V
600 V
15A (Tc)
10V
185mOhm @ 7.5A, 10V
4.3V @ 1.4mA
25 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 400 V
116W (Tc)
-
NTHL041N60S5H
NTHL041N60S5H
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
SuperFET® V
600 V
57A (Tc)
10V
41mOhm @ 28.5A, 10V
4.3V @ 6.7mA
108 nC @ 10 V
±30V
5840 pF @ 400 V
329W (Tc)
-
NTHL099N60S5
NTHL099N60S5
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
SuperFET® V
600 V
33A (Tc)
10V
99mOhm @ 13.5A, 10V
4V @ 2.8mA
48 nC @ 10 V
±30V
2500 pF @ 400 V
184W (Tc)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。