STripFET™ H6 Series, 单 FET,MOSFET

结果:
16
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Power Dissipation (Max)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Supplier Device Package
Vgs(th) (Max) @ Id
Operating Temperature
Package / Case
Vgs (Max)
FET Type
Grade
Mounting Type
Qualification
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
FET Feature
Drain to Source Voltage (Vdss)
Technology
结果16
搜索条目:
STripFET™ H6
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypePackage / CaseSupplier Device PackageFET TypeOperating TemperatureDrain to Source Voltage (Vdss)GradeTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdSeriesDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
1+
¥16.2000
5+
¥15.3000
10+
¥14.4000
数量
41,950 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
P-Channel
150°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
2A (Ta)
2.5V @ 250µA
STripFET™ H6
4.5V, 10V
56mOhm @ 1A, 10V
6 nC @ 4.5 V
±20V
639 pF @ 25 V
350mW (Tc)
-
STL6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
1+
¥5.2200
5+
¥4.9300
10+
¥4.6400
数量
22,409 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
PowerFlat™ (3.3x3.3)
P-Channel
150°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
6A (Tc)
1V @ 250µA (Min)
STripFET™ H6
4.5V, 10V
30mOhm @ 3A, 10V
12 nC @ 4.5 V
±20V
1450 pF @ 25 V
2.9W (Tc)
-
STL9P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
1+
¥7.2000
5+
¥6.8000
10+
¥6.4000
数量
12,750 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
PowerFlat™ (3.3x3.3)
P-Channel
-55°C ~ 150°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
9A (Tc)
1V @ 250µA (Min)
STripFET™ H6
4.5V, 10V
15mOhm @ 4.5A, 10V
24 nC @ 4.5 V
±20V
2615 pF @ 25 V
3W (Ta)
-
STD28P3LLH6AG
MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
1+
¥9.0000
5+
¥8.5000
10+
¥8.0000
数量
10,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DPAK
P-Channel
150°C (TJ)
30 V
Automotive
MOSFET (Metal Oxide)
-
12A (Tc)
2.5V @ 250µA
STripFET™ H6
4.5V, 10V
30mOhm @ 6A, 10V
29 nC @ 10 V
±18V
1480 pF @ 25 V
33W (Tc)
AEC-Q101
STD95P3LLH6AG
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
1+
¥108.0000
5+
¥102.0000
10+
¥96.0000
数量
1,843 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DPAK
P-Channel
-55°C ~ 150°C (TJ)
30 V
Automotive
MOSFET (Metal Oxide)
-
80A (Tc)
2.5V @ 250µA
STripFET™ H6
4.5V, 10V
6.9mOhm @ 40A, 10V
113 nC @ 10 V
±18V
6250 pF @ 25 V
104W (Tc)
AEC-Q101
STL62P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 62A POWERFLAT
1+
¥5.4000
5+
¥5.1000
10+
¥4.8000
数量
1,259 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
PowerFlat™ (5x6)
P-Channel
175°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
62A (Tc)
1V @ 250µA (Min)
STripFET™ H6
4.5V, 10V
10.5mOhm @ 7A, 10V
33 nC @ 4.5 V
±20V
3350 pF @ 25 V
100W (Tc)
-
STS10P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
1+
¥45.0000
5+
¥42.5000
10+
¥40.0000
数量
890 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
P-Channel
-55°C ~ 150°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
10A (Ta)
1V @ 250µA (Min)
STripFET™ H6
4.5V, 10V
12mOhm @ 5A, 10V
33 nC @ 4.5 V
±20V
3350 pF @ 25 V
2.7W (Ta)
-
STD40P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 40A DPAK
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DPAK
P-Channel
-55°C ~ 175°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
40A (Tc)
2.5V @ 250µA
STripFET™ H6
4.5V, 10V
15mOhm @ 20A, 10V
24 nC @ 4.5 V
±20V
2615 pF @ 25 V
60W (Tc)
-
STS9P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SO
P-Channel
-55°C ~ 150°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
9A (Ta)
2V @ 250µA
STripFET™ H6
4.5V, 10V
15mOhm @ 4.5A, 10V
24 nC @ 4.5 V
±20V
2615 pF @ 25 V
2.7W (Ta)
-
STD37P3H6AG
MOSFET P-CH 30V 49A DPAK
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DPAK
P-Channel
-55°C ~ 175°C (TJ)
30 V
Automotive
MOSFET (Metal Oxide)
-
49A (Tc)
4V @ 250µA
STripFET™ H6
10V
15mOhm @ 25A, 10V
30.6 nC @ 10 V
±20V
1630 pF @ 25 V
60W (Tc)
AEC-Q101
STL260N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
PowerFlat™ (5x6)
N-Channel
-55°C ~ 175°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
260A (Tc)
1V @ 250µA (Min)
STripFET™ H6
4.5V, 10V
1.3mOhm @ 22.5A, 10V
61.5 nC @ 4.5 V
±20V
6375 pF @ 25 V
166W (Tc)
-
STD52P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DPAK
P-Channel
175°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
52A (Tc)
2.5V @ 250µA
STripFET™ H6
4.5V, 10V
12mOhm @ 26A, 10V
33 nC @ 4.5 V
±20V
3350 pF @ 25 V
70W (Tc)
-
STL45P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 45A POWERFLAT
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
PowerFlat™ (5x6)
P-Channel
-55°C ~ 175°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
45A (Tc)
1V @ 250µA
STripFET™ H6
4.5V, 10V
13mOhm @ 6A, 10V
24 nC @ 4.5 V
±20V
2615 pF @ 25 V
4.8W (Ta), 75W (Tc)
-
STL86N3LLH6AG
MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
PowerFlat™ (5x6)
N-Channel
-55°C ~ 150°C (TJ)
30 V
Automotive
MOSFET (Metal Oxide)
-
80A (Tc)
2.5V @ 250µA
STripFET™ H6
4.5V, 10V
5.2mOhm @ 10.5A, 10V
17 nC @ 4.5 V
±20V
2030 pF @ 25 V
4W (Ta), 60W (Tc)
AEC-Q101
STP52P3LLH6
MOSFET P-CHANNEL 30V 52A TO220
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
TO-220
P-Channel
-
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
52A (Tc)
-
STripFET™ H6
4.5V, 10V
-
-
-
-
70W (Tc)
-
STP160N3LL
MOSFET N-CH 30V 120A TO220
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
TO-220
N-Channel
-55°C ~ 175°C (TJ)
30 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
120A (Tc)
2.5V @ 250µA
STripFET™ H6
4.5V, 10V
3.2mOhm @ 60A, 10V
42 nC @ 4.5 V
±20V
3500 pF @ 25 V
136W (Tc)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。