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STripFET™ F6 Series, 单 FET，MOSFET
结果:
36
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Power Dissipation (Max)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Supplier Device Package
Package / Case
Vgs(th) (Max) @ Id
Drain to Source Voltage (Vdss)
Operating Temperature
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
FET Type
Grade
Mounting Type
Qualification
FET Feature
Technology
结果：36
搜索条目:
STripFET™ F6
选择 | 图片 | 产品详情 | 单价 | 可用性 | ECAD 模型 | Mounting Type | FET Type | Package / Case | Supplier Device Package | Operating Temperature | Drain to Source Voltage (Vdss) | Technology | FET Feature | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Series | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | Power Dissipation (Max) | Qualification | Grade |
|---|
.jpg "STD15P6F6AG") | 1+ ¥4.3200 5+ ¥4.0800 10+ ¥3.8400 更多的价格 | 204,092 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | P-Channel | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 175°C (TJ) | 60 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 10A (Tc) | 160mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | STripFET™ F6 | 10V | 6.4 nC @ 10 V | ±20V | 340 pF @ 48 V | 35W (Tc) | AEC-Q101 | Automotive | ||
 | 1+ ¥2.2500 5+ ¥2.1250 10+ ¥2.0000 更多的价格 | 100,000 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Through Hole | N-Channel | TO-220-3 | TO-220 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 68 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 110A (Tc) | 6.5mOhm @ 55A, 10V | 4V @ 250µA | STripFET™ F6 | 10V | 100 nC @ 10 V | ±20V | 5850 pF @ 25 V | 176W (Tc) | - | - | ||
 | 1+ ¥3.4200 5+ ¥3.2300 10+ ¥3.0400 更多的价格 | 72,840 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Through Hole | N-Channel | TO-220-3 | TO-220 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 80 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 110A (Tc) | 6.5mOhm @ 55A, 10V | 4.5V @ 250µA | STripFET™ F6 | 10V | 150 nC @ 10 V | ±20V | 9130 pF @ 40 V | 200W (Tc) | - | - | ||
 | 1+ ¥270.0000 5+ ¥255.0000 10+ ¥240.0000 更多的价格 | 62,500 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | N-Channel | 8-PowerWDFN | PowerFlat™ (5x6) Dual Side | -55°C ~ 175°C (TJ) | 40 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 120A (Tc) | 3mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 1mA | STripFET™ F6 | 6.5V, 10V | 91 nC @ 10 V | ±20V | 5600 pF @ 10 V | 130W (Tc) | - | - | ||
| 1+ ¥3.6000 5+ ¥3.4000 10+ ¥3.2000 更多的价格 | 58,605 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | N-Channel | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | -55°C ~ 175°C (TJ) | 40 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 54A (Tc) | 8.2mOhm @ 27A, 10V | 4.5V @ 250µA | STripFET™ F6 | 10V | 44 nC @ 10 V | ±20V | 2415 pF @ 25 V | 60W (Tc) | AEC-Q101 | Automotive | ||
 | 1+ ¥18.0000 5+ ¥17.0000 10+ ¥16.0000 更多的价格 | 38,900 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | P-Channel | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (5x6) | 175°C (TJ) | 60 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 42A (Tc) | 26mOhm @ 4.5A, 10V | 2.5V @ 250µA | STripFET™ F6 | 4.5V, 10V | 30 nC @ 4.5 V | ±20V | 3780 pF @ 25 V | 100W (Tc) | - | - | ||
| 1+ ¥6.3000 5+ ¥5.9500 10+ ¥5.6000 更多的价格 | 38,014 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | P-Channel | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | -55°C ~ 150°C (TJ) | 40 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 50A (Tc) | 15mOhm @ 25A, 10V | 2.5V @ 250µA | STripFET™ F6 | 4.5V, 10V | 65.5 nC @ 10 V | ±18V | 3525 pF @ 25 V | 58W (Tc) | AEC-Q101 | Automotive | ||
| 1+ ¥9.3600 5+ ¥8.8400 10+ ¥8.3200 更多的价格 | 36,783 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | P-Channel | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (5x6) | 175°C (TJ) | 40 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 42A (Tc) | 18mOhm @ 5A, 10V | 2.5V @ 250µA | STripFET™ F6 | 4.5V, 10V | 22 nC @ 4.5 V | ±20V | 2850 pF @ 25 V | 75W (Tc) | - | - | ||
| 1+ ¥4.8600 5+ ¥4.5900 10+ ¥4.3200 更多的价格 | 35,877 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | P-Channel | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 175°C (TJ) | 100 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 10A (Tc) | 180mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | STripFET™ F6 | 10V | 16.5 nC @ 10 V | ±20V | 864 pF @ 80 V | 40W (Tc) | - | - | ||
| 1+ ¥5.4000 5+ ¥5.1000 10+ ¥4.8000 更多的价格 | 19,131 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | P-Channel | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 175°C (TJ) | 60 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 35A (Tc) | 28mOhm @ 17.5A, 10V | 2.5V @ 250µA | STripFET™ F6 | 4.5V, 10V | 30 nC @ 4.5 V | ±20V | 3780 pF @ 25 V | 70W (Tc) | - | - | ||
| 1+ ¥25.2000 5+ ¥23.8000 10+ ¥22.4000 更多的价格 | 10,895 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | N-Channel | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | -55°C ~ 175°C (TJ) | 60 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 24A (Tc) | 25mOhm @ 12A, 10V | 2.5V @ 250µA | STripFET™ F6 | 4.5V, 10V | 26 nC @ 10 V | ±20V | 1320 pF @ 25 V | 40W (Tc) | AEC-Q101 | Automotive | ||
 | 1+ ¥27.0000 5+ ¥25.5000 10+ ¥24.0000 更多的价格 | 8,793 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | P-Channel | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 150°C (TJ) | 40 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 7A (Tj) | 20.5mOhm @ 3.5A, 10V | 1V @ 250µA (Min) | STripFET™ F6 | 4.5V, 10V | 22 nC @ 4.5 V | ±20V | 2850 pF @ 25 V | 2.7W (Ta) | - | - | ||
| 1+ ¥8.1000 5+ ¥7.6500 10+ ¥7.2000 更多的价格 | 7,215 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | N-Channel | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | -55°C ~ 175°C (TJ) | 80 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 80A (Tc) | 6.5mOhm @ 40A, 10V | 4.5V @ 250µA | STripFET™ F6 | 10V | 150 nC @ 10 V | ±20V | 9130 pF @ 40 V | 167W (Tc) | - | - | ||
 | 1+ ¥9.0000 5+ ¥8.5000 10+ ¥8.0000 更多的价格 | 5,668 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | P-Channel | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (5x6) | 175°C (TJ) | 40 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 60A (Tc) | 14mOhm @ 6.5A, 10V | 1V @ 250µA (Min) | STripFET™ F6 | 4.5V, 10V | 34 nC @ 4.5 V | ±20V | 3525 pF @ 25 V | 100W (Tc) | - | - | ||
 | 1+ ¥18.0000 5+ ¥17.0000 10+ ¥16.0000 更多的价格 | 3,488 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | N-Channel | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | -55°C ~ 175°C (TJ) | 60 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 8A (Ta) | 24mOhm @ 4A, 10V | 2.5V @ 250µA | STripFET™ F6 | 4.5V, 10V | 27 nC @ 10 V | ±20V | 1340 pF @ 25 V | 3.2W (Ta) | AEC-Q101 | Automotive | ||
| 1+ ¥14.4000 5+ ¥13.6000 10+ ¥12.8000 更多的价格 | 2,123 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | P-Channel | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 175°C (TJ) | 40 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 36A (Tc) | 20.5mOhm @ 18A, 10V | 2.5V @ 250µA | STripFET™ F6 | 4.5V, 10V | 22 nC @ 4.5 V | ±20V | 2850 pF @ 25 V | 60W (Tc) | - | - | ||
 | 1+ ¥36.0000 5+ ¥34.0000 10+ ¥32.0000 更多的价格 | 2,000 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | P-Channel | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (3.3x3.3) | 150°C (TJ) | 40 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 8A (Tj) | 20.5mOhm @ 4A, 10V | 2.5V @ 250µA | STripFET™ F6 | 4.5V, 10V | 22 nC @ 4.5 V | ±20V | 2850 pF @ 25 V | 2.9W (Ta) | - | - | ||
| 1+ ¥54.0000 5+ ¥51.0000 10+ ¥48.0000 更多的价格 | 1,641 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | P-Channel | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 150°C (TJ) | 40 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 10A (Ta) | 15mOhm @ 3A, 10V | 1V @ 250µA (Min) | STripFET™ F6 | 4.5V, 10V | 34 nC @ 4.5 V | ±20V | 3525 pF @ 25 V | 2.7W (Ta) | - | - | ||
 | 1+ ¥540.0000 5+ ¥510.0000 10+ ¥480.0000 更多的价格 | 1,500 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Through Hole | N-Channel | TO-220-3 | TO-220 | - | 40 V | MOSFET (Metal Oxide) | - | 120A (Tc) | - | - | STripFET™ F6 | 4.5V, 10V | - | ±20V | - | 190W (Tc) | - | - | ||
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关于 单 FET，MOSFET
离散场效应晶体管（FET）是一种非常多功能的电子元件，用于各种应用，包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作，同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上，其他器件类型如绝缘栅双极晶体管（IGBT）会更具竞争力。对于低电压应用，FET通常优于IGBT，因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置，以适应特定的应用需求。例如，可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力，或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件，如二极管和电容器结合使用，构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外，FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件，因此不容易磨损。此外，它们可以在高温下工作而不降低性能，非常适合在恶劣环境中使用。 总之，离散场效应晶体管（FET）由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用，优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性，FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。
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