SIPMOS™ 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
12
Manufacturer
Series
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Supplier Device Package
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power Dissipation (Max)
Package / Case
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
FET Feature
FET Type
Operating Temperature
Grade
Mounting Type
Qualification
Technology
Vgs (Max)
结果12
搜索条目:
SIPMOS™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseGradeSupplier Device PackageTechnologyFET FeatureSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
BSS192PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
P-Channel
TO-243AA
-
PG-SOT89
MOSFET (Metal Oxide)
-
SIPMOS™
250 V
190mA (Ta)
2.8V, 10V
12Ohm @ 190mA, 10V
2V @ 130µA
6.1 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
1W (Ta)
-
BSS225H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-243AA
-
PG-SOT89
MOSFET (Metal Oxide)
-
SIPMOS™
600 V
90mA (Ta)
4.5V, 10V
45Ohm @ 90mA, 10V
2.3V @ 94µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
131 pF @ 25 V
1W (Ta)
-
SN7002NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
PG-SOT23
MOSFET (Metal Oxide)
-
SIPMOS™
60 V
200mA (Ta)
4.5V, 10V
5Ohm @ 500mA, 10V
1.8V @ 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
45 pF @ 25 V
360mW (Ta)
-
BSS169H6906XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
联系我们
20 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
PG-SOT23
MOSFET (Metal Oxide)
Depletion Mode
SIPMOS™
100 V
170mA (Ta)
0V, 10V
6Ohm @ 170mA, 10V
1.8V @ 50µA
2.8 nC @ 7 V
±20V
68 pF @ 10 V
360mW (Ta)
-
BSP320SH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
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430 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-261-4, TO-261AA
-
PG-SOT223-4
MOSFET (Metal Oxide)
-
SIPMOS™
60 V
2.9A (Tj)
10V
120mOhm @ 2.9A, 10V
4V @ 20µA
12 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 25 V
1.8W (Ta)
-
BSP135H6906XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-261-4, TO-261AA
-
PG-SOT223-4
MOSFET (Metal Oxide)
Depletion Mode
SIPMOS™
600 V
120mA (Ta)
0V, 10V
45Ohm @ 120mA, 10V
1V @ 94µA
4.9 nC @ 5 V
±20V
146 pF @ 25 V
1.8W (Ta)
-
BSS138WH6433XTMA1
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
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10,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
SC-70, SOT-323
-
PG-SOT323
MOSFET (Metal Oxide)
-
SIPMOS™
60 V
280mA (Ta)
4.5V, 10V
3.5Ohm @ 200mA, 10V
1.4V @ 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
43 pF @ 25 V
500mW (Ta)
-
BSP321PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
P-Channel
TO-261-4, TO-261AA
-
PG-SOT223-4
MOSFET (Metal Oxide)
-
SIPMOS™
100 V
980mA (Tc)
10V
900mOhm @ 980mA, 10V
4V @ 380µA
12 nC @ 10 V
±20V
319 pF @ 25 V
1.8W (Ta)
-
BSS138NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
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50,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
PG-SOT23
MOSFET (Metal Oxide)
-
SIPMOS™
60 V
230mA (Ta)
4.5V, 10V
3.5Ohm @ 230mA, 10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
360mW (Ta)
-
BSS87H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-243AA
-
PG-SOT89-4-2
MOSFET (Metal Oxide)
-
SIPMOS™
240 V
260mA (Ta)
4.5V, 10V
6Ohm @ 260mA, 10V
1.8V @ 108µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
97 pF @ 25 V
1W (Ta)
-
BSP125H6433XTMA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-261-4, TO-261AA
-
PG-SOT223-4
MOSFET (Metal Oxide)
-
SIPMOS™
600 V
120mA (Ta)
4.5V, 10V
-
2.3V @ 94µA
6.6 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 25 V
1.8W (Ta)
-
BSP129H6906XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-261-4, TO-261AA
-
PG-SOT223-4
MOSFET (Metal Oxide)
Depletion Mode
SIPMOS™
240 V
350mA (Ta)
0V, 10V
6Ohm @ 350mA, 10V
1V @ 108µA
5.7 nC @ 5 V
±20V
108 pF @ 25 V
1.8W (Ta)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。