PowerMESH™ II 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
14
Manufacturer
Series
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Power Dissipation (Max)
Supplier Device Package
Drain to Source Voltage (Vdss)
Package / Case
Mounting Type
Operating Temperature
Vgs (Max)
FET Feature
FET Type
Grade
Vgs(th) (Max) @ Id
Qualification
Technology
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果14
搜索条目:
PowerMESH™ II
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypePackage / CaseFET TypeOperating TemperatureSupplier Device PackageGradeTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
IRF820
2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
150°C (TJ)
TO-220AB
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
4A (Tc)
4V @ 250µA
PowerMESH™ II
500 V
10V
3Ohm @ 1.5A, 10V
17 nC @ 10 V
±30V
315 pF @ 25 V
80W (Tc)
-
IRF730
N-CHANNEL, MOSFET
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
150°C (TJ)
TO-220
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
5.5A (Tc)
4V @ 250µA
PowerMESH™ II
400 V
10V
1Ohm @ 3A, 10V
24 nC @ 10 V
±20V
530 pF @ 25 V
100W (Tc)
-
STP6NC60
MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
150°C (TJ)
TO-220
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
6A (Tc)
4V @ 250µA
PowerMESH™ II
600 V
10V
1.2Ohm @ 3A, 10V
45.5 nC @ 10 V
±30V
1020 pF @ 25 V
125W (Tc)
-
STE53NC50
MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
ISOTOP
N-Channel
150°C (TJ)
ISOTOP®
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
53A (Tc)
4V @ 250µA
PowerMESH™ II
500 V
10V
80mOhm @ 27A, 10V
434 nC @ 10 V
±30V
11200 pF @ 25 V
460W (Tc)
-
IRFP250
MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
150°C (TJ)
TO-247-3
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
33A (Tc)
4V @ 250µA
PowerMESH™ II
200 V
10V
85mOhm @ 16A, 10V
158 nC @ 10 V
±20V
2850 pF @ 25 V
180W (Tc)
-
IRF840
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
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1 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
150°C (TJ)
TO-220
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
8A (Tc)
4V @ 250µA
PowerMESH™ II
500 V
10V
850mOhm @ 3.5A, 10V
39 nC @ 10 V
±20V
832 pF @ 25 V
125W (Tc)
-
IRF820
MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
150°C (TJ)
TO-220
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
4A (Tc)
4V @ 250µA
PowerMESH™ II
500 V
10V
3Ohm @ 1.5A, 10V
17 nC @ 10 V
±30V
315 pF @ 25 V
80W (Tc)
-
IRFP450
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
150°C (TJ)
TO-247-3
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
14A (Tc)
4V @ 250µA
PowerMESH™ II
500 V
10V
380mOhm @ 7A, 10V
90 nC @ 10 V
±30V
2000 pF @ 25 V
190W (Tc)
-
IRFP460
MOSFET N-CH 500V 18.4A TO247-3
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数量
1,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
150°C (TJ)
TO-247-3
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
18.4A (Tc)
4V @ 250µA
PowerMESH™ II
500 V
10V
270mOhm @ 9A, 10V
128 nC @ 10 V
±30V
2980 pF @ 25 V
220W (Tc)
-
IRF730
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
150°C (TJ)
TO-220
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
5.5A (Tc)
4V @ 250µA
PowerMESH™ II
400 V
10V
1Ohm @ 3A, 10V
24 nC @ 10 V
±20V
530 pF @ 25 V
100W (Tc)
-
STD1HNC60T4
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
N-Channel
150°C (TJ)
DPAK
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
2A (Tc)
4V @ 250µA
PowerMESH™ II
600 V
10V
5Ohm @ 1A, 10V
15.5 nC @ 10 V
±30V
228 pF @ 25 V
50W (Tc)
-
IRF740
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
-65°C ~ 150°C (TJ)
TO-220
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
10A (Tc)
4V @ 250µA
PowerMESH™ II
400 V
10V
550mOhm @ 5.3A, 10V
43 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
125W (Tc)
-
IRF620
MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
-65°C ~ 150°C (TJ)
TO-220
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
6A (Tc)
4V @ 250µA
PowerMESH™ II
200 V
10V
800mOhm @ 3A, 10V
27 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
70W (Tc)
-
STE40NC60
MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
ISOTOP
N-Channel
150°C (TJ)
ISOTOP®
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
40A (Tc)
4V @ 250µA
PowerMESH™ II
600 V
10V
130mOhm @ 20A, 10V
430 nC @ 10 V
±30V
11100 pF @ 25 V
460W (Tc)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。