OptiMOS™2 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
6
Manufacturer
Series
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Supplier Device Package
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power Dissipation (Max)
Package / Case
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Operating Temperature
Mounting Type
Vgs (Max)
FET Type
Technology
FET Feature
Grade
Qualification
结果6
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OptiMOS™2
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeSupplier Device PackageOperating TemperaturePackage / CaseTechnologyFET TypeInput Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsGradeFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CRds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsSeriesDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Vgs (Max)Drain to Source Voltage (Vdss)Power Dissipation (Max)Qualification
IPP05CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
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100A (Tc)
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OptiMOS™2
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IPP12CN10LGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
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69A (Tc)
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OptiMOS™2
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BSD214SNL6327
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
PG-SOT363-6-6
-55°C ~ 150°C (TJ)
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
143 pF @ 10 V
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1.5A (Ta)
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
1.2V @ 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
OptiMOS™2
2.5V, 4.5V
±12V
20 V
500mW (Ta)
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BSC152N10NSFG
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13,612 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
PG-TDSON-8
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
1900 pF @ 50 V
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9.4A (Ta), 63A (Tc)
15.2mOhm @ 25A, 10V
4V @ 72µA
29 nC @ 10 V
OptiMOS™2
10V
±20V
100 V
114W (Tc)
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IPU06N03LZG
N-CHANNEL POWER MOSFET
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
PG-TO251-3-21
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
2783 pF @ 15 V
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50A (Tc)
5.1mOhm @ 30A, 10V
2V @ 40µA
22 nC @ 5 V
OptiMOS™2
4.5V, 10V
±20V
25 V
83W (Tc)
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IPB051NE8NG
N-CHANNEL POWER MOSFET
联系我们
数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
PG-TO263-3-2
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
12100 pF @ 40 V
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100A (Tc)
5.1mOhm @ 100A, 10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
OptiMOS™2
10V
±20V
85 V
300W (Tc)
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关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。