MESH OVERLAY™ Series, 单 FET,MOSFET

结果:
25
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Power Dissipation (Max)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Supplier Device Package
Package / Case
Operating Temperature
Drain to Source Voltage (Vdss)
Mounting Type
Vgs(th) (Max) @ Id
Vgs (Max)
FET Feature
FET Type
Grade
Qualification
Technology
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果25
搜索条目:
MESH OVERLAY™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseSupplier Device PackageGradeTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
STB19NF20
MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
1+
¥48.6000
5+
¥45.9000
10+
¥43.2000
数量
14,609 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
D2PAK
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
15A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
200 V
10V
160mOhm @ 7.5A, 10V
24 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
90W (Tc)
-
STD5N20T4
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
1+
¥3.0600
5+
¥2.8900
10+
¥2.7200
数量
10,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DPAK
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
5A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
200 V
10V
800mOhm @ 2.5A, 10V
27 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
45W (Tc)
-
STD7NS20T4
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
1+
¥3.2400
5+
¥3.0600
10+
¥2.8800
数量
3,371 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DPAK
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
7A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
200 V
10V
400mOhm @ 3.5A, 10V
45 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 25 V
45W (Tc)
-
STF19NF20
MOSFET N-CH 200V 15A TO220FP
1+
¥36.0000
5+
¥34.0000
10+
¥32.0000
数量
1,520 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3 Full Pack
TO-220FP
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
15A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
200 V
10V
160mOhm @ 7.5A, 10V
24 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
25W (Tc)
-
STB40NS15T4
MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
1+
¥27.0000
5+
¥25.5000
10+
¥24.0000
数量
50 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-65°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
D2PAK
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
40A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
150 V
10V
52mOhm @ 20A, 10V
110 nC @ 10 V
±20V
2420 pF @ 25 V
300W (Tc)
-
STP62NS04Z
MOSFET N-CH 33V 62A TO220AB
联系我们
数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
62A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
33 V
10V
15mOhm @ 30A, 10V
47 nC @ 10 V
Clamped
1330 pF @ 25 V
110W (Tc)
-
STD19NF20
MOSFET N-CHANNEL 200V 15A DPAK
联系我们
数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252 (DPAK)
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
15A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
200 V
10V
160mOhm @ 7.5A, 10V
24 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
90W (Tc)
-
STP8NS25FP
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FP
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3 Full Pack
TO-220FP
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
8A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
250 V
10V
450mOhm @ 4A, 10V
51.8 nC @ 10 V
±20V
770 pF @ 25 V
30W (Tc)
-
STY100NS20FD
MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
MAX247™
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
100A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
200 V
10V
24mOhm @ 50A, 10V
360 nC @ 10 V
±20V
7900 pF @ 25 V
450W (Tc)
-
STP22NS25Z
MOSFET N-CH 250V 22A TO220AB
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数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
22A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
250 V
10V
150mOhm @ 11A, 10V
151 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
135W (Tc)
-
STP8NS25
MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
8A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
250 V
10V
450mOhm @ 4A, 10V
51.8 nC @ 10 V
±20V
770 pF @ 25 V
80W (Tc)
-
STB22NS25ZT4
MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
D2PAK
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
22A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
250 V
10V
150mOhm @ 11A, 10V
151 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
135W (Tc)
-
STB16NS25T4
MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
175°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
D2PAK
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
16A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
250 V
10V
280mOhm @ 8A, 10V
80 nC @ 10 V
±20V
1270 pF @ 25 V
140W (Tc)
-
STB130NS04ZBT4
MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
D2PAK
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
80A (Tc)
4V @ 1mA
MESH OVERLAY™
33 V
10V
9mOhm @ 40A, 10V
80 nC @ 10 V
Clamped
2700 pF @ 25 V
300W (Tc)
-
IRF634
MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
8A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
250 V
10V
450mOhm @ 4A, 10V
51.8 nC @ 10 V
±20V
770 pF @ 25 V
80W (Tc)
-
IRF640FP
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3 Full Pack
TO-220FP
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
18A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
200 V
10V
180mOhm @ 9A, 10V
72 nC @ 10 V
±20V
1560 pF @ 25 V
40W (Tc)
-
STP16NS25
MOSFET N-CH 250V 16A TO220AB
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
16A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
250 V
10V
280mOhm @ 8A, 10V
83 nC @ 10 V
±20V
1270 pF @ 25 V
140W (Tc)
-
IRF640
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
18A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
200 V
10V
180mOhm @ 9A, 10V
72 nC @ 10 V
±20V
1560 pF @ 25 V
125W (Tc)
-
STE110NS20FD
MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
150°C (TJ)
N-Channel
ISOTOP
ISOTOP®
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
110A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
200 V
10V
24mOhm @ 50A, 10V
504 nC @ 10 V
±20V
7900 pF @ 25 V
500W (Tc)
-
STD4NS25T4
MOSFET N-CH 250V 4A DPAK
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DPAK
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
4A (Tc)
4V @ 250µA
MESH OVERLAY™
250 V
10V
1.1Ohm @ 2A, 10V
27 nC @ 10 V
±20V
355 pF @ 25 V
50W (Tc)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。