MDmesh™ DM2 Series, 单 FET,MOSFET

结果:
77
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Power Dissipation (Max)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Supplier Device Package
Package / Case
Vgs(th) (Max) @ Id
Drain to Source Voltage (Vdss)
Operating Temperature
Grade
Mounting Type
Qualification
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
FET Feature
FET Type
Technology
结果77
搜索条目:
MDmesh™ DM2
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseSupplier Device PackageTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CRds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Gate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)QualificationGrade
STW58N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
1+
¥75.6000
5+
¥71.4000
10+
¥67.2000
数量
59,588 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
50A (Tc)
60mOhm @ 25A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
90 nC @ 10 V
±25V
4100 pF @ 100 V
360W (Tc)
AEC-Q101
Automotive
STW33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
1+
¥63.0000
5+
¥59.5000
10+
¥56.0000
数量
52,800 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
24A (Tc)
130mOhm @ 12A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
43 nC @ 10 V
±25V
1870 pF @ 100 V
190W (Tc)
-
-
STB33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
1+
¥27.0000
5+
¥25.5000
10+
¥24.0000
数量
39,322 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
MOSFET (Metal Oxide)
-
24A (Tc)
130mOhm @ 12A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
43 nC @ 10 V
±25V
1870 pF @ 100 V
190W (Tc)
-
-
STD8N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
1+
¥36.0000
5+
¥34.0000
10+
¥32.0000
数量
32,500 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DPAK
MOSFET (Metal Oxide)
-
8A (Tc)
600mOhm @ 4A, 10V
5V @ 100µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
13.5 nC @ 10 V
±30V
375 pF @ 100 V
85W (Tc)
-
-
STB28N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
1+
¥81.0000
5+
¥76.5000
10+
¥72.0000
数量
16,389 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
MOSFET (Metal Oxide)
-
21A (Tc)
160mOhm @ 10.5A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
34 nC @ 10 V
±25V
1500 pF @ 100 V
170W (Tc)
-
-
STL24N60DM2
MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
1+
¥158.4000
5+
¥149.6000
10+
¥140.8000
数量
15,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
8-PowerVDFN
PowerFlat™ (8x8) HV
MOSFET (Metal Oxide)
-
15A (Tc)
220mOhm @ 9A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
29 nC @ 10 V
±25V
1055 pF @ 100 V
125W (Tc)
-
-
STP45N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 34A TO220
1+
¥54.0000
5+
¥51.0000
10+
¥48.0000
数量
13,550 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220
MOSFET (Metal Oxide)
-
34A (Tc)
93mOhm @ 17A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
56 nC @ 10 V
±25V
2500 pF @ 100 V
250W (Tc)
AEC-Q101
Automotive
STP33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
1+
¥27.0000
5+
¥25.5000
10+
¥24.0000
数量
10,430 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220
MOSFET (Metal Oxide)
-
24A (Tc)
130mOhm @ 12A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
43 nC @ 10 V
±25V
1870 pF @ 100 V
190W (Tc)
-
-
STP28N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
1+
¥36.0000
5+
¥34.0000
10+
¥32.0000
数量
10,395 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220
MOSFET (Metal Oxide)
-
21A (Tc)
160mOhm @ 10.5A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
34 nC @ 10 V
±25V
1500 pF @ 100 V
170W (Tc)
-
-
STB35N60DM2
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
1+
¥22.5000
5+
¥21.2500
10+
¥20.0000
数量
10,278 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
MOSFET (Metal Oxide)
-
28A (Tc)
110mOhm @ 14A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
54 nC @ 10 V
±25V
2400 pF @ 100 V
210W (Tc)
-
-
STWA48N60DM2
MOSFET N-CH 600V 40A TO247
1+
¥54.0000
5+
¥51.0000
10+
¥48.0000
数量
7,911 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247 Long Leads
MOSFET (Metal Oxide)
-
40A (Tc)
79mOhm @ 20A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
70 nC @ 10 V
±25V
3250 pF @ 100 V
300W (Tc)
-
-
STD6N60DM2
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
1+
¥45.0000
5+
¥42.5000
10+
¥40.0000
数量
6,946 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252 (DPAK)
MOSFET (Metal Oxide)
-
5A (Tc)
1.1Ohm @ 2.5A, 10V
4.75V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
6.2 nC @ 10 V
±25V
274 pF @ 100 V
60W (Tc)
-
-
STW56N60DM2
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
1+
¥63.0000
5+
¥59.5000
10+
¥56.0000
数量
6,927 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
50A (Tc)
60mOhm @ 25A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
90 nC @ 10 V
±25V
4100 pF @ 100 V
360W (Tc)
-
-
STL13N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
1+
¥540.0000
5+
¥510.0000
10+
¥480.0000
数量
6,500 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
150°C (TJ)
N-Channel
8-PowerVDFN
PowerFlat™ (5x6) HV
MOSFET (Metal Oxide)
-
8A (Tc)
370mOhm @ 4A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
19 nC @ 10 V
±25V
730 pF @ 100 V
52W (Tc)
-
-
STW50N65DM2AG
MOSFET N-CH 650V 28A TO247
1+
¥72.0000
5+
¥68.0000
10+
¥64.0000
数量
5,944 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
28A (Tc)
87mOhm @ 19A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
650 V
10V
70 nC @ 10 V
±25V
3200 pF @ 100 V
300W (Tc)
AEC-Q101
Automotive
STD13N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
1+
¥14.4000
5+
¥13.6000
10+
¥12.8000
数量
3,925 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DPAK
MOSFET (Metal Oxide)
-
11A (Tc)
365mOhm @ 5.5A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
19 nC @ 10 V
±25V
730 pF @ 100 V
110W (Tc)
-
-
STB43N60DM2
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
1+
¥54.0000
5+
¥51.0000
10+
¥48.0000
数量
3,441 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
MOSFET (Metal Oxide)
-
34A (Tc)
93mOhm @ 17A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
56 nC @ 10 V
±25V
2500 pF @ 100 V
250W (Tc)
-
-
STW43N60DM2
MOSFET N-CH 600V 34A TO247
1+
¥25.2000
5+
¥23.8000
10+
¥22.4000
数量
2,970 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
34A (Tc)
93mOhm @ 17A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
56 nC @ 10 V
±25V
2500 pF @ 100 V
250W (Tc)
-
-
STB45N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
1+
¥117.0000
5+
¥110.5000
10+
¥104.0000
数量
2,841 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
MOSFET (Metal Oxide)
-
34A (Tc)
90mOhm @ 17A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
600 V
10V
56 nC @ 10 V
±25V
2500 pF @ 100 V
250W (Tc)
AEC-Q101
Automotive
STP35N65DM2
MOSFET N-CH 650V 32A TO220
1+
¥45.0000
5+
¥42.5000
10+
¥40.0000
数量
2,606 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
TO-220
MOSFET (Metal Oxide)
-
32A (Tc)
110mOhm @ 16A, 10V
5V @ 250µA
MDmesh™ DM2
650 V
10V
56.3 nC @ 10 V
±25V
2540 pF @ 100 V
250W (Tc)
-
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。