MDmesh™ DK5 Series, 单 FET,MOSFET

结果:
6
Manufacturer
Series
Supplier Device Package
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Power Dissipation (Max)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Drain to Source Voltage (Vdss)
Package / Case
Operating Temperature
Mounting Type
FET Feature
FET Type
Grade
Vgs(th) (Max) @ Id
Qualification
Technology
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果6
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MDmesh™ DK5
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseGradeSupplier Device PackageTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
STW40N95DK5
MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247
1+
¥81.0000
5+
¥76.5000
10+
¥72.0000
数量
10,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C
N-Channel
TO-247-3
-
TO-247
MOSFET (Metal Oxide)
-
38A (Tc)
MDmesh™ DK5
950 V
10V
130mOhm @ 19A, 10V
5V @ 100µA
100 nC @ 10 V
±30V
3480 pF @ 100 V
450W (Tc)
-
STWA40N95DK5
MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247
1+
¥144.0000
5+
¥136.0000
10+
¥128.0000
数量
26 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C
N-Channel
TO-247-3
-
TO-247 Long Leads
MOSFET (Metal Oxide)
-
38A (Tc)
MDmesh™ DK5
950 V
10V
130mOhm @ 19A, 10V
5V @ 100µA
100 nC @ 10 V
±30V
3480 pF @ 100 V
450W (Tc)
-
STE60N105DK5
MOSFET N-CH 1050V 46A ISOTOP
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
ISOTOP
-
ISOTOP
MOSFET (Metal Oxide)
-
46A (Tc)
MDmesh™ DK5
1050 V
10V
120mOhm @ 23A, 10V
5V @ 100µA
204 nC @ 10 V
±30V
6675 pF @ 100 V
680W (Tc)
-
STF16N90K5
MOSFET N-CH 900V 15A TO220FP
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3 Full Pack
-
TO-220FP
MOSFET (Metal Oxide)
-
15A (Tc)
MDmesh™ DK5
900 V
10V
330mOhm @ 7.5A, 10V
5V @ 100µA
29.7 nC @ 10 V
±30V
1027 pF @ 100 V
30W (Tc)
-
STWA20N95DK5
MOSFET N-CH 950V 18A TO247
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
-
TO-247 Long Leads
MOSFET (Metal Oxide)
-
18A (Tc)
MDmesh™ DK5
950 V
10V
330mOhm @ 9A, 10V
5V @ 100µA
50.7 nC @ 10 V
±30V
1600 pF @ 100 V
250W (Tc)
-
STW20N95DK5
MOSFET N-CH 950V 18A TO247
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
-
TO-247-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
18A (Tc)
MDmesh™ DK5
950 V
10V
330mOhm @ 9A, 10V
5V @ 100µA
50.7 nC @ 10 V
±30V
1600 pF @ 100 V
250W (Tc)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。