Linear L2™ 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
54
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Supplier Device Package
Power Dissipation (Max)
Package / Case
Drain to Source Voltage (Vdss)
Mounting Type
Vgs(th) (Max) @ Id
Vgs (Max)
Operating Temperature
FET Type
Technology
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
FET Feature
Grade
Qualification
结果54
搜索条目:
Linear L2™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypeGradePackage / CaseSupplier Device PackageTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
IXTK240N075L2
MOSFET N-CH 75V 240A TO264
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50 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-264-3, TO-264AA
TO-264
MOSFET (Metal Oxide)
-
240A (Tc)
Linear L2™
75 V
10V
7mOhm @ 120A, 10V
4.5V @ 3mA
546 nC @ 10 V
±20V
19000 pF @ 25 V
960W (Tc)
-
IXTH30N50L2
MOSFET N-CH 500V 30A TO247
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290 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-247-3
TO-247 (IXTH)
MOSFET (Metal Oxide)
-
30A (Tc)
Linear L2™
500 V
10V
200mOhm @ 15A, 10V
4.5V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 25 V
400W (Tc)
-
IXTT110N10L2-TRL
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
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1 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
TO-268 (IXTT)
MOSFET (Metal Oxide)
-
110A (Tc)
Linear L2™
100 V
10V
18mOhm @ 55A, 10V
4.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
10500 pF @ 25 V
600W (Tc)
-
IXTA80N075L2
MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
联系我们
数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
TO-263AA
MOSFET (Metal Oxide)
-
80A (Tc)
Linear L2™
75 V
10V
24mOhm @ 40A, 10V
4.5V @ 250µA
103 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 25 V
357W (Tc)
-
IXTA15N50L2
MOSFET N-CH 500V 15A TO263
联系我们
数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
TO-263AA
MOSFET (Metal Oxide)
-
15A (Tc)
Linear L2™
500 V
10V
480mOhm @ 7.5A, 10V
4.5V @ 250µA
123 nC @ 10 V
±20V
4080 pF @ 25 V
300W (Tc)
-
IXTT30N50L2
MOSFET N-CH 500V 30A TO268
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数量
1 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
TO-268AA
MOSFET (Metal Oxide)
-
30A (Tc)
Linear L2™
500 V
10V
200mOhm @ 15A, 10V
4.5V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 25 V
400W (Tc)
-
IXTP64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-220-3
TO-220
MOSFET (Metal Oxide)
-
64A (Tc)
Linear L2™
100 V
10V
32mOhm @ 32A, 10V
4.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3620 pF @ 25 V
357W (Tc)
-
IXTX60N50L2
MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-247-3 Variant
PLUS247™-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
60A (Tc)
Linear L2™
500 V
10V
100mOhm @ 30A, 10V
4.5V @ 250µA
610 nC @ 10 V
±30V
24000 pF @ 25 V
960W (Tc)
-
IXTX90N25L2
MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247-3
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1 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-247-3 Variant
PLUS247™-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
90A (Tc)
Linear L2™
250 V
10V
33mOhm @ 45A, 10V
4.5V @ 3mA
640 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
960W (Tc)
-
IXTH75N10L2
MOSFET N-CH 100V 75A TO247
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-247-3
TO-247 (IXTH)
MOSFET (Metal Oxide)
-
75A (Tc)
Linear L2™
100 V
10V
21mOhm @ 500mA, 10V
4.5V @ 250µA
215 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 25 V
400W (Tc)
-
IXTX200N10L2
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
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数量
33 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-247-3 Variant
PLUS247™-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
200A (Tc)
Linear L2™
100 V
10V
11mOhm @ 100A, 10V
4.5V @ 3mA
540 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
1040W (Tc)
-
IXTX240N075L2
MOSFET N-CH 75V 240A PLUS247-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-247-3 Variant
PLUS247™-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
240A (Tc)
Linear L2™
75 V
10V
7mOhm @ 120A, 10V
4.5V @ 3mA
546 nC @ 10 V
±20V
19000 pF @ 25 V
960W (Tc)
-
IXTT30N60L2
MOSFET N-CH 600V 30A TO268
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
TO-268AA
MOSFET (Metal Oxide)
-
30A (Tc)
Linear L2™
600 V
10V
240mOhm @ 15A, 10V
4.5V @ 250µA
335 nC @ 10 V
±20V
10700 pF @ 25 V
540W (Tc)
-
IXTH64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO247
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-247-3
TO-247 (IXTH)
MOSFET (Metal Oxide)
-
64A (Tc)
Linear L2™
100 V
10V
32mOhm @ 32A, 10V
4.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3620 pF @ 25 V
357W (Tc)
-
IXTN60N50L2
MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
MOSFET (Metal Oxide)
-
53A (Tc)
Linear L2™
500 V
10V
100mOhm @ 30A, 10V
4.5V @ 250µA
610 nC @ 10 V
±30V
24000 pF @ 25 V
735W (Tc)
-
IXTN200N10L2
MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
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900 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
MOSFET (Metal Oxide)
-
178A (Tc)
Linear L2™
100 V
10V
11mOhm @ 100A, 10V
4.5V @ 3mA
540 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
830W (Tc)
-
IXTN90N25L2
MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
MOSFET (Metal Oxide)
-
90A (Tc)
Linear L2™
250 V
10V
33mOhm @ 500mA, 10V
4.5V @ 3mA
640 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
735W (Tc)
-
IXTK90N25L2
MOSFET N-CH 250V 90A TO264
联系我们
4 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-264-3, TO-264AA
TO-264 (IXTK)
MOSFET (Metal Oxide)
-
90A (Tc)
Linear L2™
250 V
10V
33mOhm @ 45A, 10V
4.5V @ 3mA
640 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
960W (Tc)
-
IXTK200N10L2
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
联系我们
140 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
TO-264-3, TO-264AA
TO-264 (IXTK)
MOSFET (Metal Oxide)
-
200A (Tc)
Linear L2™
100 V
10V
11mOhm @ 100A, 10V
4.5V @ 3mA
540 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
1040W (Tc)
-
IXTT75N20L2
MOSFET N-CH 200V 75A DPAK
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数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
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Linear L2™
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关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。