深圳智勤芯科技有限公司是一家具有二十多年专业化的电子元器件供应商，是国内市场较具规模的电子元器件供应商之一。公司以“信誉第一、价格合理、诚信经营”为宗旨，在同行业中树立了良好的口碑。受到了众多客户的好评与信赖，在广大客户的提携、支持下，在激烈的市场竞争中，公司不断创新，逐步发展，在电子商务这一新兴领域中已有了长足的发展，并形成了一套有自己特色的管理、运作系统。我们的核心优势之一是我们严格的质量保证体系和专业的质量控制团队。我们共同努力，确保我们的产品和服务符合最高质量标准。为了进一步验证我们对质量的承诺，我们已获得ESD, AS9120B, ISO9001, ISO14001等认证。

深圳智勤芯科技有限公司秉承＂以人为本＂的人才观，大力吸纳专业人才以充实技术，管理和营销队伍，不断完善自身管理，提供优质服务，打造优秀品牌，追求卓越目标。我们拥有专业的销售人员以及出色的工程技术专家，一贯以快速回应客户的咨询及提供优质的交货服务为基础，为客户提供与应用需求最紧密结合的解决方案，从而降低客户的开发与应用成本，使智勤芯科技与客户在互利中共同成长。

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我们多样化的服务使我们能够为各种行业提供电子元件，包括汽车，消费品，合同制造商，电子制造服务(EMS)，能源系统和控制，工业自动化，测量技术，医疗设备，电信和焊接。

HiPerFET™, Polar 系列, 单 FET，MOSFET

结果:

235

选择	图片	产品详情	单价	可用性	ECAD 模型	Mounting Type	FET Type	Package / Case	Operating Temperature	Grade	Technology	FET Feature	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	Vgs(th) (Max) @ Id	Series	Drain to Source Voltage (Vdss)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	Power Dissipation (Max)	Supplier Device Package	Qualification

IXFH110N10P

IXYS

MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Through Hole

N-Channel

TO-247-3

-55°C ~ 175°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

110A (Tc)

5V @ 4mA

HiPerFET™, Polar

100 V

10V

15mOhm @ 500mA, 10V

110 nC @ 10 V

±20V

3550 pF @ 25 V

480W (Tc)

TO-247AD (IXFH)

IXFT88N28P

IXYS

MOSFET N-CH 280V 88A TO268

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

HiPerFET™, Polar

IXFK32N90P

IXYS

MOSFET N-CH 900V 32A TO264AA

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Through Hole

N-Channel

TO-264-3, TO-264AA

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

32A (Tc)

6.5V @ 1mA

HiPerFET™, Polar

900 V

10V

300mOhm @ 16A, 10V

215 nC @ 10 V

±30V

10600 pF @ 25 V

960W (Tc)

TO-264AA (IXFK)

IXFP5N100PM

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO220

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3,000 可用

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Through Hole

N-Channel

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

2.3A (Tc)

6V @ 250µA

HiPerFET™, Polar

1000 V

10V

2.8Ohm @ 2.5A, 10V

33.4 nC @ 10 V

±30V

1830 pF @ 25 V

42W (Tc)

TO-220 Isolated Tab

IXFH12N90P

IXYS

MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD

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2,134 可用

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发货地: HK

PCB Symbol, Footprint & 3D Model

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N-Channel

TO-247-3

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

12A (Tc)

6.5V @ 1mA

HiPerFET™, Polar

900 V

10V

900mOhm @ 6A, 10V

56 nC @ 10 V

±30V

3080 pF @ 25 V

380W (Tc)

TO-247AD (IXFH)

IXFT44N50P

IXYS

MOSFET N-CH 500V 44A TO268

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842 可用

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TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

44A (Tc)

5V @ 4mA

HiPerFET™, Polar

500 V

10V

140mOhm @ 22A, 10V

98 nC @ 10 V

±30V

5440 pF @ 25 V

658W (Tc)

TO-268AA

IXFH24N90P

IXYS

MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD

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N-Channel

TO-247-3

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

24A (Tc)

6.5V @ 1mA

HiPerFET™, Polar

900 V

10V

420mOhm @ 12A, 10V

130 nC @ 10 V

±30V

7200 pF @ 25 V

660W (Tc)

TO-247AD (IXFH)

IXFT24N90P

IXYS

MOSFET N-CH 900V 24A TO268

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N-Channel

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

24A (Tc)

6.5V @ 1mA

HiPerFET™, Polar

900 V

10V

420mOhm @ 12A, 10V

130 nC @ 10 V

±30V

7200 pF @ 25 V

660W (Tc)

TO-268AA

IXFK44N50P

IXYS

MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA

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Through Hole

N-Channel

TO-264-3, TO-264AA

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

44A (Tc)

5V @ 4mA

HiPerFET™, Polar

500 V

10V

140mOhm @ 22A, 10V

98 nC @ 10 V

±30V

5440 pF @ 25 V

658W (Tc)

TO-264AA (IXFK)

IXFR48N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247

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N-Channel

TO-247-3

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

32A (Tc)

5V @ 8mA

HiPerFET™, Polar

600 V

10V

150mOhm @ 24A, 10V

150 nC @ 10 V

±30V

8860 pF @ 25 V

300W (Tc)

ISOPLUS247™

IXFT16N120P

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 16A TO268

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4,800 可用

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发货地: HK

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N-Channel

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

16A (Tc)

6.5V @ 1mA

HiPerFET™, Polar

1200 V

10V

950mOhm @ 500mA, 10V

120 nC @ 10 V

±30V

6900 pF @ 25 V

660W (Tc)

TO-268AA

IXFB82N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264

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Through Hole

N-Channel

TO-264-3, TO-264AA

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

82A (Tc)

5V @ 8mA

HiPerFET™, Polar

600 V

10V

75mOhm @ 41A, 10V

240 nC @ 10 V

±30V

23000 pF @ 25 V

1250W (Tc)

PLUS264™

IXFP10N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

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Through Hole

N-Channel

TO-220-3

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

10A (Tc)

5.5V @ 1mA

HiPerFET™, Polar

600 V

10V

740mOhm @ 5A, 10V

32 nC @ 10 V

±30V

1610 pF @ 25 V

200W (Tc)

TO-220-3

IXFA10N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 10A TO263

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TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

10A (Tc)

5.5V @ 1mA

HiPerFET™, Polar

600 V

10V

740mOhm @ 5A, 10V

32 nC @ 10 V

±30V

1610 pF @ 25 V

200W (Tc)

TO-263AA (IXFA)

IXFH20N80P

IXYS

MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD

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200 可用

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Through Hole

N-Channel

TO-247-3

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

20A (Tc)

5V @ 4mA

HiPerFET™, Polar

800 V

10V

520mOhm @ 10A, 10V

86 nC @ 10 V

±30V

4685 pF @ 25 V

500W (Tc)

TO-247AD (IXFH)

IXFN170N30P

IXYS

MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

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258 可用

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发货地: HK

PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Chassis Mount

N-Channel

SOT-227-4, miniBLOC

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

138A (Tc)

4.5V @ 1mA

HiPerFET™, Polar

300 V

10V

18mOhm @ 85A, 10V

258 nC @ 10 V

±20V

20000 pF @ 25 V

890W (Tc)

SOT-227B

IXFB40N110P

IXYS

MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264

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N-Channel

TO-264-3, TO-264AA

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

40A (Tc)

6.5V @ 1mA

HiPerFET™, Polar

1100 V

10V

260mOhm @ 20A, 10V

310 nC @ 10 V

±30V

19000 pF @ 25 V

1250W (Tc)

PLUS264™

IXFP16N50P

IXYS

MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB

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N-Channel

TO-220-3

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

16A (Tc)

5.5V @ 2.5mA

HiPerFET™, Polar

500 V

10V

400mOhm @ 8A, 10V

43 nC @ 10 V

±30V

2250 pF @ 25 V

300W (Tc)

TO-220-3

IXFH150N15P

IXYS

MOSFET N-CH 150V 150A TO247AD

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N-Channel

TO-247-3

-55°C ~ 175°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

150A (Tc)

5V @ 4mA

HiPerFET™, Polar

150 V

10V

13mOhm @ 500mA, 10V

190 nC @ 10 V

±20V

5800 pF @ 25 V

714W (Tc)

TO-247AD (IXFH)

IXFH100N25P

IXYS

MOSFET N-CH 250V 100A TO247AD

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TO-247-3

-55°C ~ 150°C (TJ)

MOSFET (Metal Oxide)

100A (Tc)

5V @ 4mA

HiPerFET™, Polar

250 V

10V

27mOhm @ 50A, 10V

185 nC @ 10 V

±20V

6300 pF @ 25 V

600W (Tc)

TO-247 (IXTH)

关于单 FET，MOSFET

离散场效应晶体管（FET）是一种非常多功能的电子元件，用于各种应用，包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作，同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上，其他器件类型如绝缘栅双极晶体管（IGBT）会更具竞争力。对于低电压应用，FET通常优于IGBT，因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置，以适应特定的应用需求。例如，可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力，或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件，如二极管和电容器结合使用，构成更复杂的电路。除了多功能性和高效率外，FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件，因此不容易磨损。此外，它们可以在高温下工作而不降低性能，非常适合在恶劣环境中使用。总之，离散场效应晶体管（FET）由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用，优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性，FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。

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