GigaMOS™ Series, 单 FET,MOSFET

结果:
11
Manufacturer
Series
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drain to Source Voltage (Vdss)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Supplier Device Package
Vgs(th) (Max) @ Id
Package / Case
Power Dissipation (Max)
Operating Temperature
Mounting Type
FET Feature
FET Type
Grade
Qualification
Technology
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果11
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GigaMOS™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseSupplier Device PackageTechnologyFET FeatureVgs(th) (Max) @ IdSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)
IXTM35N30
MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-204AE
TO-204AE
MOSFET (Metal Oxide)
-
4V @ 250µA
GigaMOS™
300 V
35A (Tc)
10V
100mOhm @ 17.5A, 10V
220 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXTM40N30
MOSFET N-CH 300V 40A TO204AE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-204AE
TO-204AE
MOSFET (Metal Oxide)
-
4V @ 250µA
GigaMOS™
300 V
40A (Tc)
10V
88mOhm @ 20A, 10V
220 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXTM50N20
MOSFET N-CH 200V 50A TO204AE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-204AE
TO-204AE
MOSFET (Metal Oxide)
-
4V @ 250µA
GigaMOS™
200 V
50A (Tc)
10V
45mOhm @ 25A, 10V
220 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXTM67N10
MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-204AE
TO-204AE
MOSFET (Metal Oxide)
-
4V @ 4mA
GigaMOS™
100 V
67A (Tc)
10V
25mOhm @ 33.5A, 10V
260 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXTM11N80
MOSFET N-CH 800V 11A TO204AA
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-204AA, TO-3
TO-204AA (IXTM)
MOSFET (Metal Oxide)
-
4.5V @ 250µA
GigaMOS™
800 V
11A (Tc)
10V
950mOhm @ 5.5A, 10V
170 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXTM12N100
MOSFET N-CH 1000V 12A TO204AA
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-204AA, TO-3
TO-204AA (IXTM)
MOSFET (Metal Oxide)
-
4.5V @ 250µA
GigaMOS™
1000 V
12A (Tc)
10V
1.05Ohm @ 6A, 10V
170 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXFK210N17T
MOSFET N-CH 170V 210A TO264AA
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
TO-264AA (IXFK)
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 4mA
GigaMOS™
170 V
210A (Tc)
10V
7.5mOhm @ 60A, 10V
285 nC @ 10 V
±20V
18800 pF @ 25 V
1150W (Tc)
IXFX210N17T
MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3 Variant
PLUS247™-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 4mA
GigaMOS™
170 V
210A (Tc)
10V
7.5mOhm @ 60A, 10V
285 nC @ 10 V
±20V
18800 pF @ 25 V
1150W (Tc)
IXFN260N17T
MOSFET N-CH 170V 245A SOT227B
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 8mA
GigaMOS™
170 V
245A (Tc)
10V
6.5mOhm @ 60A, 10V
400 nC @ 10 V
±20V
24000 pF @ 25 V
1090W (Tc)
IXFK260N17T
MOSFET N-CH 170V 260A TO264AA
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
TO-264AA (IXFK)
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 8mA
GigaMOS™
170 V
260A (Tc)
10V
6.5mOhm @ 60A, 10V
400 nC @ 10 V
±20V
24000 pF @ 25 V
1670W (Tc)
IXFX260N17T
MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3 Variant
PLUS247™-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 8mA
GigaMOS™
170 V
260A (Tc)
10V
6.5mOhm @ 60A, 10V
400 nC @ 10 V
±20V
24000 pF @ 25 V
1670W (Tc)

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。