DeepGATE™, STripFET™ Series, 单 FET,MOSFET

结果:
12
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Supplier Device Package
Package / Case
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power Dissipation (Max)
Operating Temperature
Mounting Type
FET Feature
FET Type
Grade
Vgs(th) (Max) @ Id
Qualification
Technology
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果12
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DeepGATE™, STripFET™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeFET TypePackage / CaseSupplier Device PackageOperating TemperatureGradeTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
STD70N10F4
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
1+
¥9.9000
5+
¥9.3500
10+
¥8.8000
数量
50,717 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DPAK
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
60A (Tc)
4V @ 250µA
DeepGATE™, STripFET™
100 V
10V
19.5mOhm @ 30A, 10V
85 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
125W (Tc)
-
STS5N15F4
MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
1+
¥12.6000
5+
¥11.9000
10+
¥11.2000
数量
8,574 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
5A (Tc)
4V @ 250µA
DeepGATE™, STripFET™
150 V
10V
63mOhm @ 2.5A, 10V
48 nC @ 10 V
±20V
2710 pF @ 25 V
2.5W (Tc)
-
STP80N70F4
MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB
联系我们
数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
N-Channel
TO-220-3
TO-220
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
85A (Tc)
4V @ 250µA
DeepGATE™, STripFET™
68 V
10V
9.8mOhm @ 40A, 10V
90 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 25 V
150W (Tc)
-
STP75N75F4
MOSFET N-CH 75V 78A TO220
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
N-Channel
TO-220-3
TO-220
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
78A (Tc)
4V @ 250µA
DeepGATE™, STripFET™
75 V
10V
11mOhm @ 39A, 10V
76 nC @ 10 V
±20V
5015 pF @ 25 V
150W (Tc)
-
STP78N75F4
MOSFET N-CH 75V 78A TO220AB
联系我们
数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
N-Channel
TO-220-3
TO-220
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
78A (Tc)
4V @ 250µA
DeepGATE™, STripFET™
75 V
10V
11mOhm @ 39A, 10V
76 nC @ 10 V
±20V
5015 pF @ 25 V
150W (Tc)
-
STP70N10F4
MOSFET N-CH 100V 65A TO220-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
N-Channel
TO-220-3
TO-220
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
65A (Tc)
4V @ 250µA
DeepGATE™, STripFET™
100 V
10V
19.5mOhm @ 30A, 10V
85 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
150W (Tc)
-
STW70N10F4
MOSFET N-CH 100V 65A TO247-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
65A (Tc)
4V @ 250µA
DeepGATE™, STripFET™
100 V
10V
19.5mOhm @ 30A, 10V
85 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
150W (Tc)
-
STL25N15F4
MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-PowerVDFN
PowerFlat™ (5x6)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
25A (Tc)
4V @ 250µA
DeepGATE™, STripFET™
150 V
10V
63mOhm @ 3A, 10V
48 nC @ 10 V
±20V
2710 pF @ 25 V
80W (Tc)
-
STB70N10F4
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
联系我们
数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
65A (Tc)
4V @ 250µA
DeepGATE™, STripFET™
100 V
10V
19.5mOhm @ 30A, 10V
85 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
150W (Tc)
-
STD78N75F4
MOSFET N-CH 75V 78A DPAK
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DPAK
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
78A (Tc)
4V @ 250µA
DeepGATE™, STripFET™
75 V
10V
11mOhm @ 35A, 10V
76 nC @ 10 V
±20V
5015 pF @ 25 V
125W (Tc)
-
STP90N55F4
MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
N-Channel
TO-220-3
TO-220
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
90A (Tc)
4V @ 250µA
DeepGATE™, STripFET™
55 V
10V
8mOhm @ 45A, 10V
90 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
150W (Tc)
-
STP165N10F4
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
N-Channel
TO-220-3
TO-220
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
120A (Tc)
4V @ 250µA
DeepGATE™, STripFET™
100 V
10V
5.5mOhm @ 60A, 10V
180 nC @ 10 V
±20V
10500 pF @ 25 V
315W (Tc)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。