CoolMOS™ PFD7 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
13
Manufacturer
Series
Power Dissipation (Max)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Supplier Device Package
Package / Case
Operating Temperature
FET Feature
FET Type
Grade
Mounting Type
Drain to Source Voltage (Vdss)
Qualification
Technology
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果13
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CoolMOS™ PFD7
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypeGradePackage / CaseTechnologyFET FeatureSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Supplier Device PackageQualification
IPLK60R360PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
-
CoolMOS™ PFD7
600 V
13A (Tc)
10V
360mOhm @ 2.9A, 10V
4.5V @ 140µA
12.7 nC @ 10 V
±20V
534 pF @ 400 V
74W (Tc)
PG-TDSON-8-52
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IPD60R210PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
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-40°C ~ 150°C (TJ)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET (Metal Oxide)
-
CoolMOS™ PFD7
600 V
16A (Tc)
10V
210mOhm @ 4.9A, 10V
4.5V @ 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
1015 pF @ 400 V
64W (Tc)
PG-TO252-3-344
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IPD60R600PFD7SAUMA1
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-40°C ~ 150°C (TJ)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET (Metal Oxide)
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CoolMOS™ PFD7
600 V
6A (Tc)
10V
600mOhm @ 1.7A, 10V
4.5V @ 80µA
8.5 nC @ 10 V
±20V
344 pF @ 400 V
31W (Tc)
PG-TO252-3
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IPLK60R1K0PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
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CoolMOS™ PFD7
600 V
5.2A (Tc)
10V
1Ohm @ 1A, 10V
4.5V @ 50µA
6 nC @ 10 V
±20V
230 pF @ 400 V
31.3W (Tc)
PG-TDSON-8-52
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IPD60R1K5PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
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-40°C ~ 150°C (TJ)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET (Metal Oxide)
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CoolMOS™ PFD7
600 V
3.6A (Tc)
10V
1.5Ohm @ 700mA, 10V
4.5V @ 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
169 pF @ 400 V
22W (Tc)
PG-TO252-3-344
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IPD60R280PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
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CoolMOS™ PFD7
600 V
12A (Tc)
10V
280mOhm @ 3.6A, 10V
4.5V @ 180µA
15.3 nC @ 10 V
±20V
656 pF @ 400 V
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IPLK60R600PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
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MOSFET (Metal Oxide)
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CoolMOS™ PFD7
600 V
7A (Tc)
10V
600mOhm @ 1.7A, 10V
4.5V @ 80µA
8.5 nC @ 10 V
±20V
344 pF @ 400 V
45W (Tc)
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IPD60R360PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
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MOSFET (Metal Oxide)
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CoolMOS™ PFD7
600 V
10A (Tc)
10V
360mOhm @ 2.9A, 10V
4.5V @ 140µA
12.7 nC @ 10 V
±20V
534 pF @ 400 V
43W (Tc)
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
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-40°C ~ 150°C (TJ)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET (Metal Oxide)
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CoolMOS™ PFD7
600 V
3A (Tc)
10V
2Ohm @ 500mA, 10V
4.5V @ 30µA
3.8 nC @ 10 V
±20V
134 pF @ 400 V
20W (Tc)
PG-TO252-3-344
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IPN60R1K0PFD7SATMA1
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-40°C ~ 150°C (TJ)
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TO-261-4, TO-261AA
MOSFET (Metal Oxide)
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CoolMOS™ PFD7
600 V
4.7A (Tc)
10V
1Ohm @ 1A, 10V
4.5V @ 50µA
6 nC @ 10 V
±20V
230 pF @ 400 V
6W (Tc)
PG-SOT223-4
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1
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Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET (Metal Oxide)
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CoolMOS™ PFD7
600 V
4.7A (Tc)
10V
1Ohm @ 1A, 10V
4.5V @ 50µA
6 nC @ 10 V
±20V
230 pF @ 400 V
26W (Tc)
PG-TO252-3
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IPN60R600PFD7SATMA1
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-40°C ~ 150°C (TJ)
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TO-261-4, TO-261AA
MOSFET (Metal Oxide)
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CoolMOS™ PFD7
600 V
6A (Tc)
10V
600mOhm @ 1.7A, 10V
4.5V @ 80µA
8.5 nC @ 10 V
±20V
344 pF @ 400 V
7W (Tc)
PG-SOT223-4
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IPLK60R1K5PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
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CoolMOS™ PFD7
600 V
3.8A (Tc)
10V
1.5Ohm @ 700mA, 10V
4.5V @ 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
169 pF @ 400 V
25W (Tc)
PG-TDSON-8-52
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关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。