CoolMOS™ G7 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
12
Manufacturer
Series
Power Dissipation (Max)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Operating Temperature
Supplier Device Package
Package / Case
FET Feature
FET Type
Grade
Mounting Type
Drain to Source Voltage (Vdss)
Qualification
Technology
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果12
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CoolMOS™ G7
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypeGradeTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Supplier Device PackagePackage / CaseQualification
IPDD60R102G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
23A (Tc)
CoolMOS™ G7
600 V
10V
102mOhm @ 7.8A, 10V
4V @ 390µA
34 nC @ 10 V
±20V
1320 pF @ 400 V
139W (Tc)
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP Module
-
IPT60R028G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
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888 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
75A (Tc)
CoolMOS™ G7
600 V
10V
28mOhm @ 28.8A, 10V
4V @ 1.44mA
123 nC @ 10 V
±20V
4820 pF @ 400 V
391W (Tc)
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
-
IPT60R150G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 17A 8HSOF
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259 可用
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
17A (Tc)
CoolMOS™ G7
600 V
10V
150mOhm @ 5.3A, 10V
4V @ 260µA
23 nC @ 10 V
±20V
902 pF @ 400 V
106W (Tc)
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
-
IPT60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
29A (Tc)
CoolMOS™ G7
600 V
10V
80mOhm @ 9.7A, 10V
4V @ 490µA
42 nC @ 10 V
±20V
1640 pF @ 400 V
167W (Tc)
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
-
IPDD60R050G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
47A (Tc)
CoolMOS™ G7
600 V
10V
50mOhm @ 15.9A, 10V
4V @ 800µA
68 nC @ 10 V
±20V
2670 pF @ 400 V
278W (Tc)
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP Module
-
IPT60R102G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
23A (Tc)
CoolMOS™ G7
600 V
10V
102mOhm @ 7.8A, 10V
4V @ 390µA
34 nC @ 10 V
±20V
1320 pF @ 400 V
141W (Tc)
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
-
IPT60R125G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 20A 8HSOF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
20A (Tc)
CoolMOS™ G7
600 V
10V
125mOhm @ 6.4A, 10V
4V @ 320µA
27 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 400 V
120W (Tc)
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
-
IPDD60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
29A (Tc)
CoolMOS™ G7
600 V
10V
80mOhm @ 9.7A, 10V
4V @ 490µA
42 nC @ 10 V
±20V
1640 pF @ 400 V
174W (Tc)
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP Module
-
IPDD60R190G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
13A (Tc)
CoolMOS™ G7
600 V
10V
190mOhm @ 4.2A, 10V
4V @ 210µA
18 nC @ 10 V
±20V
718 pF @ 400 V
76W (Tc)
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP Module
-
IPDD60R150G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
16A (Tc)
CoolMOS™ G7
600 V
10V
150mOhm @ 5.3A, 10V
4V @ 260µA
23 nC @ 10 V
±20V
902 pF @ 400 V
95W (Tc)
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP Module
-
IPT60R050G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
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2,000 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
44A (Tc)
CoolMOS™ G7
600 V
10V
50mOhm @ 15.9A, 10V
4V @ 800µA
68 nC @ 10 V
±20V
2670 pF @ 400 V
245W (Tc)
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
-
IPDD60R125G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
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10 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
20A (Tc)
CoolMOS™ G7
600 V
10V
125mOhm @ 6.4A, 10V
4V @ 320µA
27 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 400 V
120W (Tc)
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP Module
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。