CoolMOS™ CP 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
25
Manufacturer
Series
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Power Dissipation (Max)
Supplier Device Package
Package / Case
Operating Temperature
Drain to Source Voltage (Vdss)
FET Feature
FET Type
Grade
Mounting Type
Qualification
Technology
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果25
搜索条目:
CoolMOS™ CP
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseGradeSupplier Device PackageTechnologyFET FeatureVgs(th) (Max) @ IdSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
IPD60R520CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
PG-TO252-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 250µA
CoolMOS™ CP
600 V
6.8A (Tc)
10V
520mOhm @ 3.8A, 10V
31 nC @ 10 V
±20V
630 pF @ 100 V
66W (Tc)
-
IPD60R600CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
PG-TO252-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 220µA
CoolMOS™ CP
600 V
6.1A (Tc)
10V
600mOhm @ 3.3A, 10V
27 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 100 V
60W (Tc)
-
IPB60R299CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
联系我们
18,790 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
PG-TO263-3-2
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 440µA
CoolMOS™ CP
600 V
11A (Tc)
10V
299mOhm @ 6.6A, 10V
29 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
96W (Tc)
-
IPD60R520CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
PG-TO252-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 250µA
CoolMOS™ CP
600 V
6.8A (Tc)
10V
520mOhm @ 3.8A, 10V
31 nC @ 10 V
±20V
630 pF @ 100 V
66W (Tc)
-
IPD60R600CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
PG-TO252-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 220µA
CoolMOS™ CP
600 V
6.1A (Tc)
10V
600mOhm @ 3.3A, 10V
27 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 100 V
60W (Tc)
-
IPB60R385CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
PG-TO263-3-2
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 340µA
CoolMOS™ CP
600 V
9A (Tc)
10V
385mOhm @ 5.2A, 10V
22 nC @ 10 V
±20V
790 pF @ 100 V
83W (Tc)
-
IPB60R520CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A D2PAK
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
PG-TO263-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 250µA
CoolMOS™ CP
600 V
6.8A (Tc)
10V
520mOhm @ 3.8A, 10V
31 nC @ 10 V
±20V
630 pF @ 100 V
66W (Tc)
-
IPD50R520CPATMA1
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
PG-TO252-3-313
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 250µA
CoolMOS™ CP
500 V
7.1A (Tc)
10V
520mOhm @ 3.8A, 10V
17 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 100 V
66W (Tc)
-
IPD50R399CPBTMA1
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
PG-TO252-3-313
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 330µA
CoolMOS™ CP
500 V
9A (Tc)
10V
399mOhm @ 4.9A, 10V
23 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 100 V
83W (Tc)
-
IPB60R125CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
联系我们
963 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
PG-TO263-3-2
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 1.1mA
CoolMOS™ CP
600 V
25A (Tc)
10V
125mOhm @ 16A, 10V
70 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 100 V
208W (Tc)
-
IPD60R385CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
PG-TO252-3-11
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 340µA
CoolMOS™ CP
600 V
9A (Tc)
10V
385mOhm @ 5.2A, 10V
22 nC @ 10 V
±20V
790 pF @ 100 V
83W (Tc)
-
IPB60R099CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
PG-TO263-3-2
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 1.2mA
CoolMOS™ CP
600 V
31A (Tc)
10V
99mOhm @ 18A, 10V
80 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 100 V
255W (Tc)
-
IPL60R199CPAUMA1
MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON
联系我们
1,600 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
4-PowerTSFN
-
PG-VSON-4
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 660µA
CoolMOS™ CP
600 V
16.4A (Tc)
10V
199mOhm @ 9.9A, 10V
32 nC @ 10 V
±20V
1520 pF @ 100 V
139W (Tc)
-
IPD60R385CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
联系我们
4,954 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
PG-TO252-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 340µA
CoolMOS™ CP
600 V
9A (Tc)
10V
385mOhm @ 5.2A, 10V
22 nC @ 10 V
±20V
790 pF @ 100 V
83W (Tc)
-
IPD60R600CP
N-CHANNEL POWER MOSFET
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
PG-TO252-3-313
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 220µA
CoolMOS™ CP
600 V
6.1A (Tc)
10V
600mOhm @ 3.3A, 10V
27 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 100 V
60W (Tc)
-
IPB60R199CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
联系我们
998 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
PG-TO263-3-2
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 660µA
CoolMOS™ CP
600 V
16A (Tc)
10V
199mOhm @ 9.9A, 10V
43 nC @ 10 V
±20V
1520 pF @ 100 V
139W (Tc)
-
IPB60R600CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A D2PAK
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
PG-TO263-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 220µA
CoolMOS™ CP
600 V
6.1A (Tc)
10V
600mOhm @ 3.3A, 10V
27 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 100 V
60W (Tc)
-
IPB60R165CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
PG-TO263-3-2
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 790µA
CoolMOS™ CP
600 V
21A (Tc)
10V
165mOhm @ 12A, 10V
52 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 100 V
192W (Tc)
-
IPB60R250CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
PG-TO263-3-2
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 440µA
CoolMOS™ CP
600 V
12A (Tc)
10V
250mOhm @ 7.8A, 10V
35 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 100 V
104W (Tc)
-
IPD50R399CP
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
PG-TO252-3-11
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.5V @ 330µA
CoolMOS™ CP
500 V
9A (Tc)
10V
399mOhm @ 4.9A, 10V
23 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 100 V
83W (Tc)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。