C3M™ 系列, 单 FET，MOSFET

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68
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Power Dissipation (Max)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Vgs(th) (Max) @ Id
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Supplier Device Package
Vgs (Max)
Drain to Source Voltage (Vdss)
Package / Case
Operating Temperature
Mounting Type
Technology
FET Feature
FET Type
Grade
Qualification
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果：68
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C3M™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Supplier Device PackageGradeFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CSeriesTechnologyDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)
C3M0015065D-M
C3M0015065D-M
Wolfspeed, Inc.
MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-40°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
650 V
TO-247-3
-
-
120A (Tc)
C3M™
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
15V
21mOhm @ 55.8A, 15V
3.6V @ 15.5mA
188 nC @ 15 V
+15V, -4V
5011 pF @ 400 V
416W (Tc)
C3M0120065K
C3M0120065K
Wolfspeed, Inc.
650V 120M SIC MOSFET
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-40°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-247-4
650 V
TO-247-4L
-
-
22A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
157mOhm @ 6.76A, 15V
3.6V @ 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V, -8V
640 pF @ 400 V
98W (Tc)
C3M0120090J
C3M0120090J
Wolfspeed, Inc.
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
900 V
TO-263-7
-
-
22A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
155mOhm @ 15A, 15V
3.5V @ 3mA
17.3 nC @ 15 V
+18V, -8V
350 pF @ 600 V
83W (Tc)
C3M0120100K
C3M0120100K
Wolfspeed, Inc.
SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-4
1000 V
TO-247-4L
-
-
22A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
155mOhm @ 15A, 15V
3.5V @ 3mA
21.5 nC @ 15 V
±15V
350 pF @ 600 V
83W (Tc)
C3M0060065J
C3M0060065J
Wolfspeed, Inc.
SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
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2,000 可用
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
650 V
TO-263-7
-
-
36A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
79mOhm @ 13.2A, 15V
3.6V @ 5mA
46 nC @ 15 V
+15V, -4V
1020 pF @ 600 V
136W (Tc)
C3M0045065D
C3M0045065D
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GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-40°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
650 V
TO-247-3
-
-
49A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
60mOhm @ 17.6A, 15V
3.6V @ 4.84mA
63 nC @ 15 V
+19V, -8V
1621 pF @ 600 V
176W (Tc)
C3M0032120D
C3M0032120D
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SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-40°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
1200 V
TO-247-3
-
-
63A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
43mOhm @ 40A, 15V
3.6V @ 11.5mA
114 nC @ 15 V
+15V, -4V
3357 pF @ 1000 V
283W (Tc)
C3M0032120J1
C3M0032120J1
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1200V 32MOHM SIC MOSFET
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
1200 V
TO-263-7
-
-
68A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
43mOhm @ 41.4A, 15V
3.6V @ 11.5mA
111 nC @ 15 V
+15V, -4V
3424 pF @ 1000 V
277W (Tc)
C3M0120100J
C3M0120100J
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SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
1000 V
D2PAK-7
-
-
22A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
155mOhm @ 15A, 15V
3.5V @ 3mA
21.5 nC @ 15 V
+15V, -4V
350 pF @ 600 V
83W (Tc)
C3M0120090J-TR
C3M0120090J-TR
Wolfspeed, Inc.
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
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4,300 可用
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
900 V
TO-263-7
-
-
22A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
155mOhm @ 15A, 15V
3.5V @ 3mA
17.3 nC @ 15 V
+18V, -8V
350 pF @ 600 V
83W (Tc)
C3M0280090J-TR
C3M0280090J-TR
Wolfspeed, Inc.
SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
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TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
900 V
TO-263-7
-
-
11A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
360mOhm @ 7.5A, 15V
3.5V @ 1.2mA
9.5 nC @ 15 V
+18V, -8V
150 pF @ 600 V
50W (Tc)
C3M0120065D
C3M0120065D
Wolfspeed, Inc.
650V 120M SIC MOSFET
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-40°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
650 V
TO-247-3
-
-
22A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
157mOhm @ 6.76A, 15V
3.6V @ 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V, -8V
640 pF @ 400 V
98W (Tc)
C3M0060065D
C3M0060065D
Wolfspeed, Inc.
SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-40°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
650 V
TO-247-3
-
-
37A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
79mOhm @ 13.2A, 15V
3.6V @ 5mA
46 nC @ 15 V
+15V, -4V
1020 pF @ 600 V
150W (Tc)
C3M0060065K
C3M0060065K
Wolfspeed, Inc.
SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-40°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-247-4
650 V
TO-247-4L
-
-
37A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
79mOhm @ 13.2A, 15V
3.6V @ 5mA
46 nC @ 15 V
+15V, -4V
1020 pF @ 600 V
150W (Tc)
C3M0280090D
C3M0280090D
Wolfspeed, Inc.
SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
900 V
TO-247-3
-
-
11.5A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
360mOhm @ 7.5A, 15V
3.5V @ 1.2mA
9.5 nC @ 15 V
+18V, -8V
150 pF @ 600 V
54W (Tc)
C3M0280090J
C3M0280090J
Wolfspeed, Inc.
SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
900 V
TO-263-7
-
-
11A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
360mOhm @ 7.5A, 15V
3.5V @ 1.2mA
9.5 nC @ 15 V
+18V, -8V
150 pF @ 600 V
50W (Tc)
C3M0025065J1
C3M0025065J1
Wolfspeed, Inc.
650V 25 M SIC MOSFET
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
650 V
TO-263-7
-
-
80A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
34mOhm @ 33.5A, 15V
3.6V @ 9.22mA
109 nC @ 15 V
+19V, -8V
2980 pF @ 400 V
271W (Tc)
C3M0065090J-TR
C3M0065090J-TR
Wolfspeed, Inc.
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
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144 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
900 V
TO-263-7
-
-
35A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
78mOhm @ 20A, 15V
3.5V @ 5mA
30 nC @ 15 V
+19V, -8V
660 pF @ 600 V
113W (Tc)
C3M0040120J1-TR
C3M0040120J1-TR
Wolfspeed, Inc.
1200V 40 M SIC MOSFET
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
1200 V
TO-263-7
-
-
64A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
53.5mOhm @ 33.3A, 15V
3.6V @ 9.2mA
94 nC @ 15 V
+15V, -4V
2900 pF @ 1000 V
272W (Tc)
C3M0075120K-A
C3M0075120K-A
Wolfspeed, Inc.
75M 1200V 175C SIC FET
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-40°C ~ 175°C (TJ)
N-Channel
TO-247-4
1200 V
TO-247-4L
-
-
32A (Tc)
C3M™
SiCFET (Silicon Carbide)
15V
90mOhm @ 20A, 15V
3.6V @ 5mA
53 nC @ 15 V
+15V, -4V
1390 pF @ 1000 V
136W (Tc)
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关于  单 FET，MOSFET

离散场效应晶体管（FET）是一种非常多功能的电子元件，用于各种应用，包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作，同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上，其他器件类型如绝缘栅双极晶体管（IGBT）会更具竞争力。对于低电压应用，FET通常优于IGBT，因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置，以适应特定的应用需求。例如，可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力，或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件，如二极管和电容器结合使用，构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外，FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件，因此不容易磨损。此外，它们可以在高温下工作而不降低性能，非常适合在恶劣环境中使用。 总之，离散场效应晶体管（FET）由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用，优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性，FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。
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