C2M™ 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
6
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Supplier Device Package
Vgs(th) (Max) @ Id
Power Dissipation (Max)
Package / Case
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Operating Temperature
Mounting Type
Drain to Source Voltage (Vdss)
FET Feature
FET Type
Grade
Qualification
Technology
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果6
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C2M™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseSupplier Device PackageGradeFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdSeriesTechnologyDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
C2M0080170P
SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4
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数量
1 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-4
TO-247-4L
-
-
40A (Tc)
4V @ 10mA
C2M™
SiCFET (Silicon Carbide)
1700 V
20V
125mOhm @ 28A, 20V
120 nC @ 20 V
+25V, -10V
2250 pF @ 1000 V
277W (Tc)
-
C2M1000170J-TR
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
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2,600 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
TO-263-7
-
-
5.3A (Tc)
4V @ 500µA
C2M™
SiCFET (Silicon Carbide)
1700 V
20V
1.4Ohm @ 2A, 20V
13 nC @ 20 V
+25V, -10V
200 pF @ 1000 V
78W (Tc)
-
C2M0080120D
SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
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3,700 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
-
-
36A (Tc)
4V @ 5mA
C2M™
SiCFET (Silicon Carbide)
1200 V
20V
98mOhm @ 20A, 20V
62 nC @ 5 V
+25V, -10V
950 pF @ 1000 V
192W (Tc)
-
C2M0045170P
SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
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175 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-40°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-4
TO-247-4L
-
-
72A (Tc)
4V @ 18mA
C2M™
SiCFET (Silicon Carbide)
1700 V
20V
59mOhm @ 50A, 20V
188 nC @ 20 V
+25V, -10V
3672 pF @ 1000 V
520W (Tc)
-
C2M0045170D
SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
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4,768 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-40°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247-3
-
-
72A (Tc)
4V @ 18mA
C2M™
SiCFET (Silicon Carbide)
1700 V
20V
70mOhm @ 50A, 20V
188 nC @ 20 V
+25V, -10V
3672 pF @ 1000 V
520W (Tc)
-
C2M1000170J
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
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2,150 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-7 (Straight Leads)
D2PAK (7-Lead)
-
-
5.3A (Tc)
4V @ 500µA
C2M™
SiCFET (Silicon Carbide)
1700 V
20V
1.4Ohm @ 2A, 20V
13 nC @ 20 V
+25V, -10V
200 pF @ 1000 V
78W (Tc)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。