深圳智勤芯科技有限公司是一家具有二十多年专业化的电子元器件供应商，是国内市场较具规模的电子元器件供应商之一。公司以“信誉第一、价格合理、诚信经营”为宗旨，在同行业中树立了良好的口碑。受到了众多客户的好评与信赖，在广大客户的提携、支持下，在激烈的市场竞争中，公司不断创新，逐步发展，在电子商务这一新兴领域中已有了长足的发展，并形成了一套有自己特色的管理、运作系统。我们的核心优势之一是我们严格的质量保证体系和专业的质量控制团队。我们共同努力，确保我们的产品和服务符合最高质量标准。为了进一步验证我们对质量的承诺，我们已获得ESD, AS9120B, ISO9001, ISO14001等认证。

深圳智勤芯科技有限公司秉承＂以人为本＂的人才观，大力吸纳专业人才以充实技术，管理和营销队伍，不断完善自身管理，提供优质服务，打造优秀品牌，追求卓越目标。我们拥有专业的销售人员以及出色的工程技术专家，一贯以快速回应客户的咨询及提供优质的交货服务为基础，为客户提供与应用需求最紧密结合的解决方案，从而降低客户的开发与应用成本，使智勤芯科技与客户在互利中共同成长。

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我们多样化的服务使我们能够为各种行业提供电子元件，包括汽车，消费品，合同制造商，电子制造服务(EMS)，能源系统和控制，工业自动化，测量技术，医疗设备，电信和焊接。

SIPMOS® 系列, 单 FET，MOSFET

结果:

322

选择	图片	产品详情	单价	可用性	ECAD 模型	Mounting Type	Operating Temperature	Package / Case	FET Type	Supplier Device Package	Technology	Series	FET Feature	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	Vgs(th) (Max) @ Id	Drain to Source Voltage (Vdss)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (Max)	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	Power Dissipation (Max)	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

BUZ73HXKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

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Through Hole

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TO-220-3

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PG-TO220-3

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

7A (Tc)

4V @ 1mA

200 V

10V

400mOhm @ 4.5A, 10V

±20V

530 pF @ 25 V

40W (Tc)

BSP299H6327XUSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4

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PG-SOT223-4

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

400mA (Ta)

4V @ 1mA

500 V

10V

4Ohm @ 400mA, 10V

±20V

400 pF @ 25 V

1.8W (Ta)

BSO613SPVGHUMA1

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MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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PG-DSO-8

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

3.44A (Ta)

4V @ 1mA

60 V

10V

130mOhm @ 3.44A, 10V

±20V

875 pF @ 25 V

2.5W (Ta)

30 nC @ 10 V

BSP125L6433HTMA1

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MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

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PG-SOT223-4-21

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

120mA (Ta)

2.3V @ 94µA

600 V

4.5V, 10V

45Ohm @ 120mA, 10V

±20V

150 pF @ 25 V

1.8W (Ta)

6.6 nC @ 10 V

BSP135L6433HTMA1

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MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

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N-Channel

PG-SOT223-4-21

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

Depletion Mode

120mA (Ta)

1V @ 94µA

600 V

0V, 10V

45Ohm @ 120mA, 10V

±20V

146 pF @ 25 V

1.8W (Ta)

4.9 nC @ 5 V

BSP296L6433HTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4

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MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

1.1A (Ta)

1.8V @ 400µA

100 V

4.5V, 10V

700mOhm @ 1.1A, 10V

±20V

364 pF @ 25 V

1.79W (Ta)

17.2 nC @ 10 V

BSS119L6433HTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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PG-SOT23

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

170mA (Ta)

2.3V @ 50µA

100 V

4.5V, 10V

6Ohm @ 170mA, 10V

±20V

78 pF @ 25 V

360mW (Ta)

2.5 nC @ 10 V

BSP320SL6433HTMA1

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MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4

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SIPMOS®

2.9A (Ta)

4V @ 20µA

60 V

10V

120mOhm @ 2.9A, 10V

±20V

340 pF @ 25 V

1.8W (Ta)

12 nC @ 10 V

BSS123L6433HTMA1

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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

N-Channel

PG-SOT23

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

170mA (Ta)

1.8V @ 50µA

100 V

4.5V, 10V

6Ohm @ 170mA, 10V

±20V

69 pF @ 25 V

360mW (Ta)

2.67 nC @ 10 V

BSP179H6327XTSA1

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MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4

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N-Channel

PG-SOT223-4

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

Depletion Mode

210mA (Ta)

1V @ 94µA

400 V

0V, 10V

18Ohm @ 210mA, 10V

±20V

135 pF @ 25 V

1.8W (Ta)

6.8 nC @ 5 V

BUZ73A H

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

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TO-220-3

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PG-TO220-3

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

5.5A (Tc)

4V @ 1mA

200 V

10V

600mOhm @ 4.5A, 10V

±20V

530 pF @ 25 V

40W (Tc)

BUZ73A H3046

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MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

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TO-220-3

N-Channel

PG-TO220-3

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

5.5A (Tc)

4V @ 1mA

200 V

10V

600mOhm @ 4.5A, 10V

±20V

530 pF @ 25 V

40W (Tc)

BUZ73ALHXKSA1

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MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

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TO-220-3

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PG-TO220-3

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

5.5A (Tc)

2V @ 1mA

200 V

600mOhm @ 3.5A, 5V

±20V

840 pF @ 25 V

40W (Tc)

BUZ73LHXKSA1

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MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

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TO-220-3

N-Channel

PG-TO220-3

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

7A (Tc)

2V @ 1mA

200 V

400mOhm @ 3.5A, 5V

±20V

840 pF @ 25 V

40W (Tc)

SPP15P10PHXKSA1

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MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3

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PG-TO220-3

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100 V

10V

240mOhm @ 10.6A, 10V

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1280 pF @ 25 V

128W (Tc)

48 nC @ 10 V

BSS84PH6327XTSA1

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

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PG-SOT23

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

170mA (Ta)

2V @ 20µA

60 V

4.5V, 10V

8Ohm @ 170mA, 10V

±20V

19 pF @ 25 V

360mW (Ta)

1.5 nC @ 10 V

BUZ30AHXKSA1

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MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

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PG-TO220-3-1

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21A (Tc)

4V @ 1mA

200 V

10V

130mOhm @ 13.5A, 10V

±20V

1900 pF @ 25 V

125W (Tc)

BUZ31HXKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3

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TO-220-3

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MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

14.5A (Tc)

4V @ 1mA

200 V

200mOhm @ 9A, 5V

±20V

1120 pF @ 25 V

95W (Tc)

BUZ31L H

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MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3

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PG-TO220-3

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

13.5A (Tc)

2V @ 1mA

200 V

200mOhm @ 7A, 5V

±20V

1600 pF @ 25 V

95W (Tc)

BUZ32 H

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MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3

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TO-220-3

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PG-TO220-3

MOSFET (Metal Oxide)

SIPMOS®

9.5A (Tc)

4V @ 1mA

200 V

10V

400mOhm @ 6A, 10V

±20V

530 pF @ 25 V

75W (Tc)

关于单 FET，MOSFET

离散场效应晶体管（FET）是一种非常多功能的电子元件，用于各种应用，包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作，同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上，其他器件类型如绝缘栅双极晶体管（IGBT）会更具竞争力。对于低电压应用，FET通常优于IGBT，因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置，以适应特定的应用需求。例如，可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力，或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件，如二极管和电容器结合使用，构成更复杂的电路。除了多功能性和高效率外，FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件，因此不容易磨损。此外，它们可以在高温下工作而不降低性能，非常适合在恶劣环境中使用。总之，离散场效应晶体管（FET）由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用，优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性，FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。

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