OptiMOS™3 Series, 单 FET,MOSFET

结果:
11
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Vgs(th) (Max) @ Id
Supplier Device Package
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power Dissipation (Max)
Package / Case
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Operating Temperature
Mounting Type
FET Type
Technology
Vgs (Max)
FET Feature
Grade
Qualification
结果11
搜索条目:
OptiMOS™3
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeSupplier Device PackageOperating TemperaturePackage / CaseTechnologyFET TypeInput Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsGradeSeriesFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CRds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Vgs (Max)Drain to Source Voltage (Vdss)Power Dissipation (Max)Qualification
IPP023N04NGHKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
-
-
-
-
-
-
OptiMOS™3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IPP041N04NGHKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
-
-
-
-
-
-
OptiMOS™3
-
80A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
IPB136N08N3GATMA1
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
PG-TO263-3
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
1730 pF @ 40 V
-
OptiMOS™3
-
45A (Tc)
13.9mOhm @ 45A, 10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
6V, 10V
±20V
80 V
79W (Tc)
-
IPA126N10NM3SXKSA1
MOSFET N-CH 100V 39A TO220
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
PG-TO220 Full Pack
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3 Full Pack
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
2500 pF @ 50 V
-
OptiMOS™3
-
35A (Tc)
12.6mOhm @ 35A, 10V
3.5V @ 45µA
35 nC @ 10 V
6V, 10V
±20V
100 V
33W (Tc)
-
IPA320N20NM3SXKSA1
MOSFET N-CH 200V 26A TO220
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
PG-TO220 Full Pack
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3 Full Pack
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
2300 pF @ 100 V
-
OptiMOS™3
-
26A (Tc)
32mOhm @ 26A, 10V
4V @ 89µA
30 nC @ 10 V
10V
±20V
200 V
38W (Tc)
-
IPA075N15N3
N-CHANNEL POWER MOSFET
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
PG-TO220-3-111
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3 Full Pack
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
7280 pF @ 75 V
-
OptiMOS™3
-
43A (Tc)
7.5mOhm @ 43A, 10V
4V @ 270µA
93 nC @ 10 V
8V, 10V
±20V
150 V
39W (Tc)
-
BSC119N03MSCG
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
PG-TDSON-8
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
1500 pF @ 15 V
-
OptiMOS™3
-
11A (Ta), 39A (Tc)
11.9mOhm @ 30A, 10V
2V @ 250µA
20 nC @ 10 V
4.5V, 10V
±20V
30 V
2.5W (Ta), 28W (Tc)
-
BSF024N03LT3G
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
MG-WDSON-2
-40°C ~ 150°C (TJ)
DirectFET™ Isometric MX
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
5500 pF @ 15 V
-
OptiMOS™3
-
15A (Ta), 106A (Tc)
2.4mOhm @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
71 nC @ 10 V
4.5V, 10V
±20V
30 V
2.2W (Ta), 42W (Tc)
-
IPA600N25NM3SXKSA1
MOSFET N-CH 250V 15A TO220
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
PG-TO220 Full Pack
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3 Full Pack
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
2300 pF @ 100 V
-
OptiMOS™3
-
15A (Tc)
60mOhm @ 15A, 10V
4V @ 89µA
29 nC @ 10 V
10V
±20V
250 V
38W (Tc)
-
IPB034N06N3GATMA2
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
PG-TO263-7-3
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
11000 pF @ 30 V
-
OptiMOS™3
-
100A (Tc)
3.4mOhm @ 100A, 10V
4V @ 93µA
130 nC @ 10 V
10V
±20V
60 V
167W (Tc)
-
IPC300N20N3X7SA1
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
Die
-
Die
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
-
OptiMOS™3
-
-
100mOhm @ 2A, 10V
4V @ 270µA
-
10V
-
200 V
-
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。