经验和专业知识

深圳智勤芯科技有限公司是一家具有二十多年专业化的电子元器件供应商，是国内市场较具规模的电子元器件供应商之一。公司以“信誉第一、价格合理、诚信经营”为宗旨，在同行业中树立了良好的口碑。受到了众多客户的好评与信赖，在广大客户的提携、支持下，在激烈的市场竞争中，公司不断创新，逐步发展，在电子商务这一新兴领域中已有了长足的发展，并形成了一套有自己特色的管理、运作系统。我们的核心优势之一是我们严格的质量保证体系和专业的质量控制团队。我们共同努力，确保我们的产品和服务符合最高质量标准。为了进一步验证我们对质量的承诺，我们已获得ESD, AS9120B, ISO9001, ISO14001等认证。

深圳智勤芯科技有限公司秉承＂以人为本＂的人才观，大力吸纳专业人才以充实技术，管理和营销队伍，不断完善自身管理，提供优质服务，打造优秀品牌，追求卓越目标。我们拥有专业的销售人员以及出色的工程技术专家，一贯以快速回应客户的咨询及提供优质的交货服务为基础，为客户提供与应用需求最紧密结合的解决方案，从而降低客户的开发与应用成本，使智勤芯科技与客户在互利中共同成长。

海量现货

快速发货

365天保修

安全购买

24小时服务

资源

我们多样化的服务使我们能够为各种行业提供电子元件，包括汽车，消费品，合同制造商，电子制造服务(EMS)，能源系统和控制，工业自动化，测量技术，医疗设备，电信和焊接。

OptiMOS® Series, 单 FET，MOSFET

结果:

选择	图片	产品详情	单价	可用性	ECAD 模型	Mounting Type	Operating Temperature	FET Type	Package / Case	Grade	Technology	Supplier Device Package	Series	FET Feature	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	Drain to Source Voltage (Vdss)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	Power Dissipation (Max)	Qualification

IPI50R140CPXKSA1

Infineon Technologies

HIGH POWER_LEGACY

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Through Hole

-55°C ~ 150°C (TJ)

N-Channel

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

MOSFET (Metal Oxide)

PG-TO262-3-1

OptiMOS®

23A (Tc)

500 V

10V

140mOhm @ 14A, 10V

3.5V @ 930µA

64 nC @ 10 V

±20V

2540 pF @ 100 V

192W (Tc)

IPP230N06L3GXKSA1

Infineon Technologies

N-CHANNEL POWER MOSFET

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Through Hole

-55°C ~ 175°C

N-Channel

TO-220-3

MOSFET (Metal Oxide)

PG-TO220-3

OptiMOS®

30A

60 V

4.5V, 10V

23mOhm @ 30A, 10V

2.2V @ 11µA

7 nC @ 4.5 V

±20V

1200 pF @ 30 V

36W

BSS670T116

ROHM Semiconductor

NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Surface Mount

150°C (TJ)

N-Channel

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

MOSFET (Metal Oxide)

SST3

OptiMOS®

650mA (Ta)

60 V

2.5V, 10V

680mOhm @ 650mA, 10V

2V @ 10µA

±20V

47 pF @ 30 V

200mW (Ta)

IPS050N03LG

Infineon Technologies

N-CHANNEL POWER MOSFET

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Surface Mount

-55°C ~ 175°C (TJ)

N-Channel

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MOSFET (Metal Oxide)

PG-TO252-3

OptiMOS®

50A (Tc)

30 V

4.5V, 10V

5mOhm @ 30A, 10V

2.2V @ 250µA

31 nC @ 10 V

±20V

3200 pF @ 15 V

68W (Tc)

BSP603S2LNT

Infineon Technologies

N-CHANNEL POWER MOSFET

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Surface Mount

-55°C ~ 150°C (TJ)

N-Channel

TO-261-4, TO-261AA

MOSFET (Metal Oxide)

PG-SOT223-4-21

OptiMOS®

5.2A (Ta)

55 V

4.5V, 10V

33mOhm @ 2.6A, 10V

2V @ 50µA

42 nC @ 10 V

±20V

1390 pF @ 25 V

1.8W (Ta)

BSF050N03LQ3G

Infineon Technologies

N-CHANNEL POWER MOSFET

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-40°C ~ 150°C (TJ)

N-Channel

DirectFET™ Isometric MX

MOSFET (Metal Oxide)

MG-WDSON-2

OptiMOS®

15A (Ta), 60A (Tc)

30 V

4.5V, 10V

5mOhm @ 20A, 10V

2.2V @ 250µA

42 nC @ 10 V

±20V

3000 pF @ 15 V

2.2W (Ta), 28W (Tc)

BSO203SP

Infineon Technologies

P-CHANNEL POWER MOSFET

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

MOSFET (Metal Oxide)

PG-DSO-8

OptiMOS®

7A (Ta)

20 V

2.5V, 4.5V

21mOhm @ 8.9A, 4.5V

1.2V @ 50µA

39 nC @ 4.5 V

±12V

3750 pF @ 15 V

1.6W (Ta)

BSC200P03LSG

Infineon Technologies

P-CHANNEL POWER MOSFET

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8-PowerTDFN

MOSFET (Metal Oxide)

PG-TDSON-8-6

OptiMOS®

9.9A (Ta), 12.5A (Tc)

30 V

10V

20mOhm @ 12.5A, 10V

1V @ 100µA

48.5 nC @ 10 V

±25V

2430 pF @ 15 V

2.5W (Ta), 63W (Tc)

BSO203SPNT

Infineon Technologies

P-CHANNEL POWER MOSFET

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-55°C ~ 150°C (TJ)

P-Channel

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

MOSFET (Metal Oxide)

PG-DSO-8

OptiMOS®

9A (Ta)

20 V

2.5V, 4.5V

21mOhm @ 9A, 4.5V

1.2V @ 50µA

50.4 nC @ 4.5 V

±12V

2265 pF @ 15 V

2.35W (Ta)

SPD50N03S2-07G

Infineon Technologies

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Surface Mount

-55°C ~ 175°C (TJ)

N-Channel

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MOSFET (Metal Oxide)

PG-TO252-3-11

OptiMOS®

50A (Tc)

30 V

10V

7.3mOhm @ 50A, 10V

4V @ 85µA

46.5 nC @ 10 V

±20V

2170 pF @ 25 V

136W (Tc)

SPB80N06SL2-7

Infineon Technologies

N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

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-55°C ~ 175°C (TJ)

N-Channel

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

MOSFET (Metal Oxide)

PG-TO263-3-2

OptiMOS®

80A (Tc)

55 V

4.5V, 10V

7mOhm @ 60A, 10V

2V @ 150µA

130 nC @ 10 V

±20V

3160 pF @ 25 V

210W (Tc)

SPB160N04S2-03

Infineon Technologies

160A, 40V N-CHANNEL, MOSFET

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-55°C ~ 175°C (TJ)

N-Channel

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

MOSFET (Metal Oxide)

PG-TO263-7-3

OptiMOS®

160A (Tc)

40 V

10V

2.9mOhm @ 80A, 10V

4V @ 250µA

170 nC @ 10 V

±20V

7320 pF @ 25 V

300W (Tc)

BSS84WT106

ROHM Semiconductor

PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL

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150°C (TJ)

P-Channel

SC-70, SOT-323

MOSFET (Metal Oxide)

UMT3

OptiMOS®

210mA (Ta)

60 V

4.5V, 10V

5.3Ohm @ 210mA, 10V

2.5V @ 200µA

±20V

34 pF @ 30 V

200mW (Ta)

BSS138WT106

ROHM Semiconductor

NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI

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150°C (TJ)

N-Channel

SC-70, SOT-323

MOSFET (Metal Oxide)

UMT3

OptiMOS®

310mA (Ta)

60 V

2.5V, 10V

2.4Ohm @ 310mA, 10V

2.3V @ 1mA

±20V

15 pF @ 30 V

200mW (Ta)

关于单 FET，MOSFET

离散场效应晶体管（FET）是一种非常多功能的电子元件，用于各种应用，包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作，同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上，其他器件类型如绝缘栅双极晶体管（IGBT）会更具竞争力。对于低电压应用，FET通常优于IGBT，因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置，以适应特定的应用需求。例如，可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力，或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件，如二极管和电容器结合使用，构成更复杂的电路。除了多功能性和高效率外，FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件，因此不容易磨损。此外，它们可以在高温下工作而不降低性能，非常适合在恶劣环境中使用。总之，离散场效应晶体管（FET）由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用，优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性，FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。

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