HiPerFET™ 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
317
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Power Dissipation (Max)
Supplier Device Package
Vgs(th) (Max) @ Id
Package / Case
Drain to Source Voltage (Vdss)
Operating Temperature
Mounting Type
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
FET Feature
FET Type
Grade
Qualification
Technology
结果317
搜索条目:
HiPerFET™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseSupplier Device PackageTechnologySeriesFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)
IXFC24N50Q
MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
ISOPLUS220™
ISOPLUS220™
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
21A (Tc)
4V @ 4mA
500 V
10V
230mOhm @ 10.5A, 10V
135 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 25 V
230W (Tc)
IXFD26N50Q-72
MOSFET N-CHANNEL 500V DIE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
N-Channel
Die
Die
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
-
-
500 V
-
-
-
-
-
-
IXFT52N30Q TRL
MOSFET N-CH 300V 52A TO268
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
TO-268 (IXFT)
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
52A (Tc)
4V @ 4mA
300 V
10V
60mOhm @ 26A, 10V
150 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 25 V
360W (Tc)
IXFD14N100-8X
MOSFET N-CHANNEL 1000V DIE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
N-Channel
Die
Die
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
-
-
1000 V
-
-
-
-
-
-
IXFD23N60Q-72
MOSFET N-CHANNEL 600V DIE
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
N-Channel
Die
Die
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
-
-
600 V
-
-
-
-
-
-
IXFH35N30Q
MOSFET N-CH 300V 35A TO247AD
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247AD (IXFH)
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
35A (Tc)
4V @ 4mA
300 V
10V
100mOhm @ 17.5A, 10V
200 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXFX52N30Q
MOSFET N-CH 300V 52A PLUS247-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3 Variant
PLUS247™-3
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
52A (Tc)
-
300 V
-
-
-
-
-
360W (Tc)
IXFD80N20Q-8XQ
MOSFET N-CHANNEL 200V DIE
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数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
150°C (TJ)
N-Channel
Die
Die
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
-
-
200 V
-
-
-
-
-
-
IXFM11N80
MOSFET N-CH 800V 11A TO204AA
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-204AA, TO-3
TO-204AA
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
11A (Tc)
4.5V @ 4mA
800 V
10V
950mOhm @ 5.5A, 10V
155 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXFM35N30
MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE
联系我们
数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-204AE
TO-204AE
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
35A (Tc)
4V @ 4mA
300 V
10V
100mOhm @ 17.5A, 10V
200 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXFM42N20
MOSFET N-CH 200V 42A TO204AE
联系我们
数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-204AE
TO-204AE
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
42A (Tc)
4V @ 4mA
200 V
10V
60mOhm @ 21A, 10V
220 nC @ 10 V
±20V
4400 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXFM67N10
MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE
联系我们
数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-204AE
TO-204AE
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
67A (Tc)
4V @ 4mA
100 V
10V
25mOhm @ 33.5A, 10V
260 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXFM10N90
MOSFET N-CH 900V 10A TO204AA
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-204AA, TO-3
TO-204AA
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
10A (Tc)
4.5V @ 4mA
900 V
10V
1.1Ohm @ 5A, 10V
155 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXFM15N60
MOSFET N-CH 600V 15A TO204AE
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-204AE
TO-204AE
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
15A (Tc)
4.5V @ 4mA
600 V
10V
500mOhm @ 7.5A, 10V
170 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXFH67N10Q
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-3
TO-247AD (IXFH)
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
67A (Tc)
4V @ 4mA
100 V
10V
25mOhm @ 33.5A, 10V
260 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXFJ40N30Q
MOSFET N-CHANNEL 300V 40A TO268
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
3-SIP
TO-268
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
40A (Tc)
4V @ 4mA
300 V
10V
80mOhm @ 20A, 10V
200 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
300W (Tc)
IXFK72N20
MOSFET N-CH 200V 72A TO264AA
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
TO-264AA (IXFK)
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
72A (Tc)
4V @ 4mA
200 V
10V
35mOhm @ 36A, 10V
280 nC @ 10 V
±20V
5900 pF @ 25 V
360W (Tc)
IXFK14N100Q
MOSFET N-CH 1000V 14A TO264AA
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-264-3, TO-264AA
TO-264AA (IXFK)
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
14A (Tc)
5V @ 4mA
1000 V
10V
750mOhm @ 7A, 10V
170 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
360W (Tc)
IXFD40N30Q-72
MOSFET N-CHANNEL 300V DIE
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
N-Channel
Die
Die
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
-
-
300 V
-
-
-
-
-
-
IXFD80N10Q-8XQ
MOSFET N-CHANNEL 100V DIE
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
150°C (TJ)
N-Channel
Die
Die
MOSFET (Metal Oxide)
HiPerFET™
-
-
-
100 V
-
-
-
-
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-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。