DeepGATE™, STripFET™ VII Series, 单 FET,MOSFET

结果:
55
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Power Dissipation (Max)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Supplier Device Package
Package / Case
Vgs(th) (Max) @ Id
Drain to Source Voltage (Vdss)
Operating Temperature
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Vgs (Max)
FET Type
Grade
Mounting Type
Qualification
FET Feature
Technology
结果55
搜索条目:
DeepGATE™, STripFET™ VII
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypePackage / CaseFET TypeSupplier Device PackageOperating TemperatureGradeTechnologySeriesFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
STP150N10F7
MOSFET N-CH 100V 110A TO220
1+
¥7.2000
5+
¥6.8000
10+
¥6.4000
数量
106,491 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
TO-220
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
110A (Tc)
4.5V @ 250µA
100 V
10V
4.2mOhm @ 55A, 10V
117 nC @ 10 V
±20V
8115 pF @ 50 V
250W (Tc)
-
STL110N10F7
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
1+
¥5.7600
5+
¥5.4400
10+
¥5.1200
数量
85,340 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
N-Channel
PowerFlat™ (5x6)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
107A (Tc)
4.5V @ 250µA
100 V
10V
6mOhm @ 10A, 10V
72 nC @ 10 V
±20V
5117 pF @ 50 V
136W (Tc)
-
STH315N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
1+
¥15.8400
5+
¥14.9600
10+
¥14.0800
数量
45,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
N-Channel
H2PAK-6
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automotive
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
180A (Tc)
4.5V @ 250µA
100 V
10V
2.3mOhm @ 60A, 10V
180 nC @ 10 V
±20V
12800 pF @ 25 V
315W (Tc)
AEC-Q101
STL140N6F7
MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
1+
¥4.8600
5+
¥4.5900
10+
¥4.3200
数量
36,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
N-Channel
PowerFlat™ (5x6)
175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
145A (Tc)
4V @ 1mA
60 V
10V
2.5mOhm @ 16A, 10V
40 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
4.8W (Ta), 125W (Tc)
-
STL100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
1+
¥12.6000
5+
¥11.9000
10+
¥11.2000
数量
34,964 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
N-Channel
PowerFlat™ (5x6)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
80A (Tc)
4V @ 250µA
100 V
10V
7.3mOhm @ 19A, 10V
80 nC @ 10 V
±20V
5680 pF @ 50 V
5W (Ta), 100W (Tc)
-
STD80N10F7
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
1+
¥81.0000
5+
¥76.5000
10+
¥72.0000
数量
28,993 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
N-Channel
DPAK
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
70A (Tc)
4.5V @ 250µA
100 V
10V
10mOhm @ 40A, 10V
45 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 50 V
85W (Tc)
-
STP315N10F7
MOSFET N-CH 100V 180A TO220
1+
¥36.0000
5+
¥34.0000
10+
¥32.0000
数量
27,100 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
TO-220
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automotive
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
180A (Tc)
4.5V @ 250µA
100 V
10V
2.7mOhm @ 60A, 10V
180 nC @ 10 V
±20V
12800 pF @ 25 V
315W (Tc)
AEC-Q101
STD100N10F7
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
1+
¥8.1000
5+
¥7.6500
10+
¥7.2000
数量
25,147 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
N-Channel
DPAK
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
80A (Tc)
4.5V @ 250µA
100 V
10V
8mOhm @ 40A, 10V
61 nC @ 10 V
±20V
4369 pF @ 50 V
120W (Tc)
-
STL90N10F7
MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT
1+
¥5.4000
5+
¥5.1000
10+
¥4.8000
数量
22,840 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
N-Channel
PowerFlat™ (5x6)
175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
70A (Tc)
4V @ 250µA
100 V
10V
10.5mOhm @ 8A, 10V
39 nC @ 10 V
±20V
3550 pF @ 50 V
5W (Ta), 100W (Tc)
-
STD30N10F7
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
1+
¥10.8000
5+
¥10.2000
10+
¥9.6000
数量
20,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
N-Channel
DPAK
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
32A (Tc)
4.5V @ 250µA
100 V
10V
24mOhm @ 16A, 10V
19 nC @ 10 V
±20V
1270 pF @ 50 V
50W (Tc)
-
STF100N10F7
MOSFET N CH 100V 45A TO-220FP
1+
¥12.6000
5+
¥11.9000
10+
¥11.2000
数量
15,520 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
N-Channel
TO-220FP
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
45A (Tc)
4.5V @ 250µA
100 V
10V
8mOhm @ 22.5A, 10V
61 nC @ 10 V
±20V
4369 pF @ 50 V
30W (Tc)
-
STL7N10F7
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
1+
¥32.4000
5+
¥30.6000
10+
¥28.8000
数量
14,670 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
N-Channel
PowerFlat™ (3.3x3.3)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
7A (Tj)
4.5V @ 250µA
100 V
10V
35mOhm @ 3.5A, 10V
14 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 50 V
2.9W (Ta), 50W (Tc)
-
STB100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
1+
¥11.5200
5+
¥10.8800
10+
¥10.2400
数量
14,030 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
N-Channel
TO-263 (D2Pak)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
80A (Tc)
4.5V @ 250µA
100 V
10V
8mOhm @ 40A, 10V
61 nC @ 10 V
±20V
4369 pF @ 50 V
150W (Tc)
-
STL30N10F7
MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
1+
¥18.0000
5+
¥17.0000
10+
¥16.0000
数量
12,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
N-Channel
PowerFlat™ (5x6)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
30A (Tc)
4.5V @ 250µA
100 V
10V
35mOhm @ 4A, 10V
14 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 50 V
75W (Tc)
-
STL40N10F7
MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT
1+
¥12.6000
5+
¥11.9000
10+
¥11.2000
数量
12,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
N-Channel
PowerFlat™ (5x6)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
40A (Tc)
4.5V @ 250µA
100 V
10V
24mOhm @ 10A, 10V
19 nC @ 10 V
±20V
1270 pF @ 50 V
5W (Ta), 70W (Tc)
-
STL8P2UH7
MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT
1+
¥28.8000
5+
¥27.2000
10+
¥25.6000
数量
9,763 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
6-PowerWDFN
P-Channel
PowerFlat™ (2x2)
150°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
8A (Tc)
1V @ 250µA
20 V
1.5V, 4.5V
22.5mOhm @ 4A, 4.5V
22 nC @ 4.5 V
±8V
2390 pF @ 16 V
2.4W (Tc)
-
STL130N8F7
MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
1+
¥126.0000
5+
¥119.0000
10+
¥112.0000
数量
7,432 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
N-Channel
PowerFlat™ (5x6)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
130A (Tc)
4.5V @ 250µA
80 V
10V
3.6mOhm @ 13A, 10V
96 nC @ 10 V
±20V
6340 pF @ 40 V
135W (Tc)
-
STH310N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
1+
¥180.0000
5+
¥170.0000
10+
¥160.0000
数量
7,285 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
N-Channel
H2Pak-2
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
180A (Tc)
3.8V @ 250µA
100 V
10V
2.5mOhm @ 60A, 10V
180 nC @ 10 V
±20V
12800 pF @ 25 V
315W (Tc)
-
STH150N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
1+
¥21.6000
5+
¥20.4000
10+
¥19.2000
数量
7,199 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
N-Channel
H2Pak-2
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
110A (Tc)
4.5V @ 250µA
100 V
10V
3.9mOhm @ 55A, 10V
117 nC @ 10 V
±20V
8115 pF @ 50 V
250W (Tc)
-
STH270N8F7-6
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
1+
¥84.6000
5+
¥79.9000
10+
¥75.2000
数量
7,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
N-Channel
H²PAK
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
MOSFET (Metal Oxide)
DeepGATE™, STripFET™ VII
-
180A (Tc)
4V @ 250µA
80 V
10V
2.1mOhm @ 90A, 10V
193 nC @ 10 V
±20V
13600 pF @ 50 V
315W (Tc)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。