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DeepGATE™, STripFET™ VI Series, 单 FET，MOSFET
结果:
75
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Power Dissipation (Max)
Supplier Device Package
Package / Case
Drain to Source Voltage (Vdss)
Vgs(th) (Max) @ Id
Operating Temperature
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
FET Type
Grade
Mounting Type
Qualification
Vgs (Max)
FET Feature
Technology
结果：75
搜索条目:
DeepGATE™, STripFET™ VI
选择 | 图片 | 产品详情 | 单价 | 可用性 | ECAD 模型 | Mounting Type | Package / Case | FET Type | Supplier Device Package | Operating Temperature | Drain to Source Voltage (Vdss) | Grade | Technology | Series | FET Feature | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | Vgs(th) (Max) @ Id | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | Power Dissipation (Max) | Qualification |
|---|
 | 1+ ¥2.9700 5+ ¥2.8050 10+ ¥2.6400 更多的价格 | 198,350 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Through Hole | TO-220-3 | N-Channel | TO-220 | 175°C (TJ) | 30 V | - | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 80A (Tc) | 2.5V @ 250µA | 4.5V, 10V | 3.5mOhm @ 40A, 10V | 42 nC @ 4.5 V | ±20V | 3100 pF @ 25 V | 140W (Tc) | - | ||
.jpg "STD80N4F6") | 1+ ¥4.6800 5+ ¥4.4200 10+ ¥4.1600 更多的价格 | 125,000 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-Channel | DPAK | -55°C ~ 175°C (TJ) | 40 V | Automotive | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 80A (Tc) | 4V @ 250µA | 10V | 6mOhm @ 40A, 10V | 36 nC @ 10 V | ±20V | 2150 pF @ 25 V | 70W (Tc) | AEC-Q101 | ||
 | 1+ ¥2.7000 5+ ¥2.5500 10+ ¥2.4000 更多的价格 | 68,513 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | SOT-23-6 | N-Channel | SOT-23-6 | 150°C (TJ) | 30 V | - | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 6A (Tc) | 1V @ 250µA | 4.5V, 10V | 25mOhm @ 3A, 10V | 3.6 nC @ 4.5 V | ±20V | 283 pF @ 24 V | 1.6W (Tc) | - | ||
 | 1+ ¥72.0000 5+ ¥68.0000 10+ ¥64.0000 更多的价格 | 68,000 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | N-Channel | H2Pak-2 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 60 V | - | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 180A (Tc) | 4V @ 250µA | 10V | 2.4mOhm @ 60A, 10V | 183 nC @ 10 V | ±20V | 11800 pF @ 25 V | 300W (Tc) | - | ||
 | 1+ ¥5.0400 5+ ¥4.7600 10+ ¥4.4800 更多的价格 | 40,568 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | P-Channel | SOT-223 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 60 V | - | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 3A (Tj) | 4V @ 250µA | 10V | 160mOhm @ 1.5A, 10V | 6.4 nC @ 10 V | ±20V | 340 pF @ 48 V | 2.6W (Tc) | - | ||
 | 1+ ¥18.0000 5+ ¥17.0000 10+ ¥16.0000 更多的价格 | 36,000 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | 8-PowerVDFN | P-Channel | PowerFlat™ (5x6) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 60 V | - | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 4A (Tc) | 4V @ 250µA | 10V | 160mOhm @ 1.5A, 10V | 6.4 nC @ 10 V | ±20V | 340 pF @ 48 V | 75W (Tc) | - | ||
 | 1+ ¥72.0000 5+ ¥68.0000 10+ ¥64.0000 更多的价格 | 30,000 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | N-Channel | H2PAK-6 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 40 V | Automotive | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 200A (Tc) | 4V @ 250µA | 10V | 1.3mOhm @ 80A, 10V | 240 nC @ 10 V | ±20V | 13800 pF @ 15 V | 300W (Tc) | AEC-Q101 | ||
 | 1+ ¥18.0000 5+ ¥17.0000 10+ ¥16.0000 更多的价格 | 24,651 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | 8-PowerVDFN | N-Channel | PowerFlat™ (3.3x3.3) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 30 V | - | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 11A (Tc) | 1V @ 250µA (Min) | 4.5V, 10V | 7.5mOhm @ 5.5A, 10V | 17 nC @ 4.5 V | ±20V | 1690 pF @ 24 V | 2W (Ta), 50W (Tc) | - | ||
| 1+ ¥4.8600 5+ ¥4.5900 10+ ¥4.3200 更多的价格 | 11,002 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | P-Channel | DPAK | 175°C (TJ) | 60 V | - | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 10A (Tc) | 4V @ 250µA | 10V | 160mOhm @ 5A, 10V | 6.4 nC @ 10 V | ±20V | 340 pF @ 48 V | 35W (Tc) | - | ||
| 1+ ¥54.0000 5+ ¥51.0000 10+ ¥48.0000 更多的价格 | 10,981 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-Channel | DPAK | -55°C ~ 175°C (TJ) | 40 V | Automotive | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 80A (Tc) | 4V @ 250µA | 10V | 4mOhm @ 40A, 10V | 65 nC @ 10 V | ±20V | 3850 pF @ 25 V | 110W (Tc) | AEC-Q101 | ||
 | 1+ ¥27.0000 5+ ¥25.5000 10+ ¥24.0000 更多的价格 | 9,455 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | N-Channel | TO-263 (D2Pak) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 40 V | Automotive | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 80A (Tc) | 3V @ 250µA | 5V, 10V | 4mOhm @ 40A, 10V | 80 nC @ 10 V | ±20V | 4300 pF @ 25 V | 110W (Tc) | AEC-Q101 | ||
| 1+ ¥21.6000 5+ ¥20.4000 10+ ¥19.2000 更多的价格 | 5,982 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | N-Channel | TO-263 (D2Pak) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 40 V | Automotive | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 80A (Tc) | 4V @ 250µA | 10V | 4mOhm @ 40A, 10V | 65 nC @ 10 V | ±20V | 3850 pF @ 25 V | 110W (Tc) | AEC-Q101 | ||
_tmb.jpg "STD80N6F6") | 1+ ¥17.1000 5+ ¥16.1500 10+ ¥15.2000 更多的价格 | 5,000 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-Channel | DPAK | -55°C ~ 175°C (TJ) | 60 V | Automotive | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 80A (Tc) | 4.5V @ 250µA | 10V | 6.5mOhm @ 40A, 10V | 122 nC @ 10 V | ±20V | 7480 pF @ 25 V | 120W (Tc) | AEC-Q101 | ||
 | 1+ ¥8.1000 5+ ¥7.6500 10+ ¥7.2000 更多的价格 | 4,762 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | 8-PowerVDFN | N-Channel | PowerFlat™ (5x6) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 30 V | - | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 150A (Tc) | 1V @ 250µA | 4.5V, 10V | 2.4mOhm @ 16.5A, 10V | 40 nC @ 4.5 V | ±20V | 4040 pF @ 25 V | 80W (Tc) | - | ||
 | 1+ ¥5.4000 5+ ¥5.1000 10+ ¥4.8000 更多的价格 | 4,731 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-Channel | TO-252 (DPAK) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 30 V | - | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 80A (Tc) | 2.5V @ 250µA | 5V, 10V | 3mOhm @ 40A, 10V | 80 nC @ 5 V | ±20V | 3800 pF @ 25 V | 110W (Tc) | - | ||
| 1+ ¥36.0000 5+ ¥34.0000 10+ ¥32.0000 更多的价格 | 2,613 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | N-Channel | TO-263 (D2Pak) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 30 V | - | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 80A (Tc) | 2.5V @ 250µA | 5V, 10V | 3mOhm @ 40A, 10V | 80 nC @ 5 V | ±20V | 3800 pF @ 25 V | 110W (Tc) | - | ||
| 1+ ¥54.0000 5+ ¥51.0000 10+ ¥48.0000 更多的价格 | 2,500 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-Channel | DPAK | -55°C ~ 175°C (TJ) | 40 V | - | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 44A (Tc) | 2.5V @ 250µA | 5V, 10V | 12.5mOhm @ 20A, 10V | 22 nC @ 10 V | ±20V | 1190 pF @ 25 V | 50W (Tc) | - | ||
| 1+ ¥90.0000 5+ ¥85.0000 10+ ¥80.0000 更多的价格 | 2,000 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Through Hole | TO-220-3 | N-Channel | TO-220 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 40 V | Automotive | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 80A (Tc) | 4V @ 250µA | 10V | 4.3mOhm @ 40A, 10V | 65 nC @ 10 V | ±20V | 3850 pF @ 25 V | 110W (Tc) | AEC-Q101 | ||
 | 1+ ¥117.0000 5+ ¥110.5000 10+ ¥104.0000 更多的价格 | 1,750 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | N-Channel | TO-262 (I2PAK) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 40 V | - | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 160A (Tc) | 4V @ 250µA | 10V | 2.2mOhm @ 80A, 10V | 240 nC @ 10 V | ±20V | 13800 pF @ 25 V | 300W (Tc) | - | ||
 | 1+ ¥216.0000 5+ ¥204.0000 10+ ¥192.0000 更多的价格 | 1,218 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | N-Channel | H2PAK-6 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 60 V | - | MOSFET (Metal Oxide) | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | 180A (Tc) | 4V @ 250µA | 10V | 2.4mOhm @ 60A, 10V | 183 nC @ 10 V | ±20V | 11800 pF @ 25 V | 300W (Tc) | - |
关于 单 FET，MOSFET
离散场效应晶体管（FET）是一种非常多功能的电子元件，用于各种应用，包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作，同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上，其他器件类型如绝缘栅双极晶体管（IGBT）会更具竞争力。对于低电压应用，FET通常优于IGBT，因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置，以适应特定的应用需求。例如，可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力，或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件，如二极管和电容器结合使用，构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外，FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件，因此不容易磨损。此外，它们可以在高温下工作而不降低性能，非常适合在恶劣环境中使用。 总之，离散场效应晶体管（FET）由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用，优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性，FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。
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